[发明专利]监测离子注入机均匀性与稳定性的方法及其使用的治具无效
申请号: | 201210582286.X | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103050360A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 于锋;邱勇;徐柯;秦心宇;黄秀颀 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/30 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 朱振德 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 监测 离子 注入 均匀 稳定性 方法 及其 使用 | ||
1.一种监测离子注入机均匀性与稳定性的方法,其特征在于,包括:
A、将硅片固定于治具上,所述治具包括治具基板和设置在所述治具基板上的固定物;
B、将载有硅片的治具传入离子注入机工艺腔室进行注入;
C、注入完成后对硅片进行退火工艺;
D、在硅片上选取测量点,并且对测量点进行测量,完成对离子注入机均匀性与稳定性的监测。
2.根据权利要求1所述的监测离子注入机均匀性与稳定性的方法,其特征在于,所述固定物为固定脚,所述固定脚一端固定在所述治具基板上,另一端设有向四周突出的部分。
3.根据权利要求2所述的监测离子注入机均匀性与稳定性的方法,其特征在于,所述治具基板的长度、宽度和厚度与原材基板相当。
4.根据权利要求2所述的监测离子注入机均匀性与稳定性的方法,其特征在于,所述治具基板由石墨纤维制成。
5.根据权利要求2所述的监测离子注入机均匀性与稳定性的方法,其特征在于,所述硅片呈圆形,圆形硅片的边缘处设有缺口,所述步骤A中,将硅片固定于治具上的方法为:将所述圆形硅片的缺口对准其中一固定脚并置入多个固定脚之间,旋转所述圆形硅片,利用固定脚端部的突出部分将圆形硅片固定于治具上。
6.根据权利要求1所述的监测离子注入机均匀性与稳定性的方法,其特征在于,所述步骤C中,对硅片进行退火的工艺采用快速热退火工艺。
7.根据权利要求1所述的监测离子注入机均匀性与稳定性的方法,其特征在于,所述步骤D中,对测量点采用SMIS或RS meter 半导体测试方式进行测量。
8.一种用于监测离子注入机均匀性与稳定性的治具,其特征在于,包括治具基板及设置在所述治具基板上用于将硅片固定在治具上的固定物。
9.根据权利要求8所述的用于监测离子注入机均匀性与稳定性的治具,其特征在于,所述固定物为固定脚,所述固定脚一端固定在所述治具基板上,另一端设有向四周突出的部分。
10.根据权利要求9所述的用于监测离子注入机均匀性与稳定性的治具,其特征在于,所述固定脚为螺钉、螺帽或呈凸台形的圆柱体。
11.根据权利要求9所述的用于监测离子注入机均匀性与稳定性的治具,其特征在于,所述治具基板的长度、宽度和厚度与原材基板相当。
12.根据权利要求9所述的用于监测离子注入机均匀性与稳定性的治具,其特征在于,所述治具基板由石墨纤维制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司,未经昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210582286.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件场氧化层的腐蚀方法
- 下一篇:升降看台的通道装置