[发明专利]成膜方法

权利要求书

1.一种成膜方法，其特征在于，

该成膜方法用于在形成有凹部的基板上形成膜，该膜由容易吸附于羟基的第1反应气体和能同该第1反应气体发生反应的第2反应气体这两者的反应生成物构成，

该成膜方法包括：

控制步骤，对羟基在上述基板的上述凹部的深度方向上的吸附分布进行控制；

第1反应气体供给步骤，向吸附有上述羟基的上述基板上供给上述第1反应气体；

第2反应气体供给步骤，向吸附有上述第1反应气体的上述基板上供给上述第2反应气体。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

上述控制步骤包括将基板暴露于氧等离子体的步骤，在该将基板暴露于氧等离子体的步骤中，将吸附有上述羟基的上述基板暴露于氧等离子体。

3.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于，

在上述将基板暴露于氧等离子体的步骤中，上述氧等离子体由含有含氢气体的气体生成。

4.如权利要求3所述的成膜方法，其特征在于，

在上述将基板暴露于氧等离子体的步骤中，通过控制上述含氢气体的供给量，来对上述羟基在上述基板的上述凹部的深度方向上的吸附分布进行控制。

5.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于，

上述第2反应气体与上述第1反应气体发生反应，形成上述膜，并在该膜上生成羟基，

在上述将基板暴露于氧等离子体的步骤中，将吸附有由上述第1反应气体和上述第2反应气体发生反应而生成的上述羟基的上述基板暴露于氧等离子体。

6.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于，

在上述将基板暴露于氧等离子体的步骤中，供给含氧气体并供给规定的高频电力。

7.如权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，

在上述将基板暴露于氧等离子体的步骤中，通过控制上述规定的高频电力，来对上述羟基在上述基板的上述凹部的深度方向上的吸附分布进行控制。

8.如权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，

上述基板配置在旋转台上，

通过使该旋转台旋转，使该基板依次通过用于供给上述第1反应气体的第1气体供给区域、用于供给上述第2反应气体的第2气体供给区域、以及用于供给上述含氧气体并供给上述规定的高频电力的第3气体供给区域，

通过控制上述旋转台的转速，来对上述羟基在上述基板的上述凹部的深度方向上的吸附分布进行控制。

9.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于，

在上述将基板暴露于氧等离子体的步骤中，通过控制上述基板暴露于上述氧等离子体的时间，来对上述羟基在上述基板的上述凹部的深度方向上的吸附分布进行控制。

10.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在上述第1反应气体供给步骤中，还包括对向上述基板供给上述第1反应气体的时间进行控制的步骤。

11.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在上述第1反应气体供给步骤中，对上述第1反应气体的供给量进行控制。

12.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

该成膜方法包括第1工序，

在该第1工序中，利用上述控制步骤进行控制，以使在上述基板的上述凹部的在深度方向上较浅的部分上述羟基的量较少，在较深的部分上述羟基的量较多，在该情况下进行上述第1反应气体供给步骤和上述第2反应气体供给步骤。

13.如权利要求12所述的成膜方法，其特征在于，

该成膜方法包括第2工序，

在该第2工序中，利用上述控制步骤进行控制，以使在上述基板的上述凹部的在深度方向上较深的部分上述羟基的量也较少，并进行上述第1反应气体供给步骤和上述第2反应气体供给步骤。

14.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，上述第1反应气体为有机氨基系的气体。

15.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，上述第1反应气体为有机氨基硅烷。

16.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，上述第2反应气体为含氧气体。

17.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，上述第2反应气体为臭氧。

18.如权利要求3所述的成膜方法，其特征在于，上述含氢气体为胺和氢、或者胺和氢中的任意一者。