[发明专利]一种塑封IC开封方法无效

专利信息
申请号: 201210580087.5 申请日: 2012-12-27
公开(公告)号: CN103065936A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 冯海科 申请(专利权)人: 西安芯派电子科技有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 代理人: 张震国
地址: 710075 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 塑封 ic 开封 方法
【权利要求书】:

1.一种塑封IC开封方法,其特征在于:首先按照体积比为3:1将硝酸和硫酸配成混合酸液,加热至50~80℃后,将混合酸液滴注在芯片上方,使酸液与塑封料反应,直至芯片全部裸露出来,最后在裸露的芯片上方滴注硫酸以清洗芯片表面,最后将芯片清洗干净即可。

2.根据权利要求1所述的一种塑封IC开封方法,其特征在于:酸液与塑封料反应直至芯片全部裸露出来的具体方法为:将酸液滴注到塑封IC表面,使酸液充分与塑封料反应,反应结束后,用无水乙醇清洗,之后重复在塑封IC表面滴注酸液、清洗,直至芯片完全裸露出来。

3.根据权利要求1或2所述的一种塑封IC开封方法,其特征在于:所述塑封IC的表面设置有凹槽,所述酸液滴注在凹槽内。

4.根据权利要求1所述的一种塑封IC开封方法,其特征在于:硝酸和硫酸均为分析纯级。

5.根据权利要求1所述的一种塑封IC开封方法,其特征在于:滴注到塑封IC表面的酸液温度为60℃。

6.根据权利要求1所述的一种塑封IC开封方法,其特征在于:最后将芯片清洗干净的方法为:先用超声波清洗,再用水清洗,最后用无水乙醇清洗。

7.一种塑封IC开封方法,其特征在于:包括以下步骤:

(1)将分析纯级浓硝酸和分析纯级浓硫酸按照3:1的体积比配制成腐蚀酸液;

(2)将步骤(1)配置好的腐蚀酸液加热,稳定温度使酸液始终保持在50~80℃;

(3)清理塑封IC表面的异物,使酸液与塑封料充分接触;

(4)将步骤(2)加热好的酸液用滴管滴注在步骤(3)处理后的芯片上方位置,使酸液与塑封料反应,然后将塑封IC放入盛有无水乙醇的烧杯中清洗,清洗后继续滴注,不断重复以上操作,直到芯片全部裸露出来;

(5)将分析纯级浓硫酸滴注在裸露出的芯片表面,停滞5秒后将样品放入盛有无水乙醇的烧杯中清洗,反复操作3次;

(6)用水将样品清洗3次,防止酸液残留对人员造成伤害,最终将样品放入无水乙醇中10秒后拿出即可。

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