[发明专利]一种塑封IC开封方法无效
申请号: | 201210580087.5 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN103065936A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 冯海科 | 申请(专利权)人: | 西安芯派电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 | 代理人: | 张震国 |
地址: | 710075 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 塑封 ic 开封 方法 | ||
1.一种塑封IC开封方法,其特征在于:首先按照体积比为3:1将硝酸和硫酸配成混合酸液,加热至50~80℃后,将混合酸液滴注在芯片上方,使酸液与塑封料反应,直至芯片全部裸露出来,最后在裸露的芯片上方滴注硫酸以清洗芯片表面,最后将芯片清洗干净即可。
2.根据权利要求1所述的一种塑封IC开封方法,其特征在于:酸液与塑封料反应直至芯片全部裸露出来的具体方法为:将酸液滴注到塑封IC表面,使酸液充分与塑封料反应,反应结束后,用无水乙醇清洗,之后重复在塑封IC表面滴注酸液、清洗,直至芯片完全裸露出来。
3.根据权利要求1或2所述的一种塑封IC开封方法,其特征在于:所述塑封IC的表面设置有凹槽,所述酸液滴注在凹槽内。
4.根据权利要求1所述的一种塑封IC开封方法,其特征在于:硝酸和硫酸均为分析纯级。
5.根据权利要求1所述的一种塑封IC开封方法,其特征在于:滴注到塑封IC表面的酸液温度为60℃。
6.根据权利要求1所述的一种塑封IC开封方法,其特征在于:最后将芯片清洗干净的方法为:先用超声波清洗,再用水清洗,最后用无水乙醇清洗。
7.一种塑封IC开封方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)将分析纯级浓硝酸和分析纯级浓硫酸按照3:1的体积比配制成腐蚀酸液;
(2)将步骤(1)配置好的腐蚀酸液加热,稳定温度使酸液始终保持在50~80℃;
(3)清理塑封IC表面的异物,使酸液与塑封料充分接触;
(4)将步骤(2)加热好的酸液用滴管滴注在步骤(3)处理后的芯片上方位置,使酸液与塑封料反应,然后将塑封IC放入盛有无水乙醇的烧杯中清洗,清洗后继续滴注,不断重复以上操作,直到芯片全部裸露出来;
(5)将分析纯级浓硫酸滴注在裸露出的芯片表面,停滞5秒后将样品放入盛有无水乙醇的烧杯中清洗,反复操作3次;
(6)用水将样品清洗3次,防止酸液残留对人员造成伤害,最终将样品放入无水乙醇中10秒后拿出即可。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造