[发明专利]473nm电光调Q激光器

权利要求书

1.一种473nm电光调Q激光器，特征在于其结构包括本振级（1）、放大级（2）和腔外倍频（3）三部分：

所述的本振级（1）由平凸后腔镜（1-1）、电光调Q晶体（1-2）、1/4波片（1-3）和布鲁斯特起偏器（1-4）、第一激光二极管泵浦源（1-5）、第一泵浦耦合系统（1-6和1-7）、第一分光镜（1-8）、第一增益介质（1-9）、第二分光镜（1-10）、第二泵浦耦合系统（1-11和1-12）、第二激光二极管泵浦源（1-13）和平凹输出镜（1-14）组成，上述元部件的位置关系如下：

依次的第一激光二极管泵浦源（1-5）、第一泵浦耦合系统（1-6和1-7）、第一分光镜（1-8）、第一增益介质（1-9）、第二分光镜（1-10）、第二泵浦耦合系统（1-11和1-12）和第二激光二极管泵浦源（1-13）共水平光路，所述的第一分光镜（1-8）和第二分光镜（1-10）均对808nm-885nm宽带增透，对1064nm增透，对946nm高反，与光路成45°放置，所述的第一激光二极管泵浦源（1-5）和第二激光二极管泵浦源（1-13）对所述的第一增益介质（1-9）进行双端泵浦；

依次的平凸后腔镜（1-1）、电光调Q晶体（1-2）、1/4波片（1-3）和布鲁斯特起偏器（1-4）共垂直光路，该布鲁斯特起偏器（1-4）与所述的光路成45°，该垂直光路经所述的布鲁斯特起偏器（1-4）与所述的第一分光镜（1-8）相交，所述的第一分光镜（1-8）与所述的布鲁斯特起偏器（1-4）平行；

所述的平凹输出镜（1-14）位于第二分光镜（1-10）的反射光方向并与该反射光方向垂直，经该平凹输出镜（1-14）输出的光束经所述的第四分光镜（2-6）反射进入所述的放大级（2）；

所述的放大级（2）依次由共水平光路的第三激光二极管泵浦源（2-1）、第三泵浦耦合系统（2-2和2-3）、第三分光镜（2-4）、第二增益介质（2-5）、第四分光镜（2-6）、第四泵浦耦合系统（2-7和2-8）和第四激光二极管泵浦源（2-9）组成，所述的第三分光镜（2-4）和第四分光镜（2-6）均对808nm-885nm宽带增透，对1064nm增透，对946nm高反，与光路成45°角放置；

所述的腔外倍频部分（3）由在所述的第三分光镜的反射光方向依次的平面输出镜（3-1）、第一非线性晶体（3-2）、第二非线性晶体（3-3）和平面全反镜（3-4）组成。

2.根据权利要求1所述的473nm电光调Q激光器，其特征在于所述的第一激光二极管泵浦源（1-5）、第二激光二极管泵浦源（1-13）、第三激光二极管泵浦源（2-1）和第四激光二极管泵浦源（2-9）的发射波长为808nm或885nm，工作在脉冲方式。

3.根据权利要求1所述的473nm电光调Q激光器，其特征在于所述的第一泵浦耦合系统（1-6和1-7）、第二泵浦耦合系统（1-11和1-12）、第三泵浦耦合系统（2-2和2-3）和第四泵浦耦合系统（2-7和2-8）均对808nm-885nm宽带增透，对946nm-1064nm宽带高反。

4.根据权利要求1所述的473nm电光调Q激光器，其特征在于所述的平凸后腔镜（1-1）对808nm-885nm宽带增透，对1064nm的透过率为90%，对946nm高反。

5.根据权利要求1所述的473nm电光调Q激光器，其特征在于所述的第一增益介质（1-9）和第二增益介质（2-5）均为键合掺钕钇铝石榴石晶体，掺杂浓度1at.%，中心掺杂长度为3mm，两端不掺杂。

6.根据权利要求1所述的473nm电光调Q激光器，其特征在于所述的平凹输出镜（1-14）对1064nm的透过率为90%，对946nm的透过率为3%。

7.根据权利要求1所述的473nm电光调Q激光器，其特征在于所述的电光调Q晶体（1-2）为磷酸氧钛铷，与布鲁斯特起偏器（1-4）构成电光Q开关，镀有对946nm高透膜。

8.根据权利要求1所述的473nm电光调Q激光器，其特征在于所述的第一非线性晶体（3-2）和第二非线性晶体（3-3）均为三硼酸锂。