[发明专利]一种光刻版结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种光刻板结构及其制造方法。

背景技术

光刻版结晶缺陷问题一直是集成电路领域的一大困扰。随着光刻版的使用次数增多和光刻版存放时间增长，光刻版表面会生长结晶缺陷，并且越长越多，这种结晶缺陷会直接导致光刻版投影到硅片的正常图形发生缺陷从而导致量率下降。现有技术中的光刻版结构请参阅图2b，通常包括基板，位于基板12上的光刻版图形11，以及蒙膜13。图1是现有技术中的光刻版结构的制造方法的制备流程示意图，图2为现有技术中的光刻版结构的制造方法的制备步骤示意图，先在基板12上制备光刻版图形11，如图2a所示；再将蒙膜13安装到基板12上，如图2b所示。这种光刻版结构由于光刻版图形表面缺乏保护层，从而加快了光刻版表面的结晶缺陷的形成，降低了光刻版的投影准确性和良率产出。

为了防止光刻版结晶缺陷导致的硅片量率下降，集成电路制造过程中，必须定期对光刻版进行缺陷扫描来监控结晶缺陷的生长状况，由于光刻版数量多和频繁使用，对缺陷进行扫描监控成本非常高昂；另外当扫描到缺陷的时候，光刻版必须被送回光刻版生产厂家进行清洗工作去除结晶缺陷，这一清洗会对光刻版表面图形造成损伤，特别是对于相移光刻版表面的相移层，由于清洗次数的增多，导致相移层厚度降低，相移层厚度减小会导致相移值下降和穿透率上升，当相移值和穿透率超出规格后，会直接造成光刻版报废。

光刻版结晶缺陷生成原因一直在研究中，目前已知的主要原因之一是光刻版制造工艺中会使用浓硫酸等强氧化性物质，这些酸根会残留于光刻版中，在光刻版使用过程中，光刻版中的酸根和空气中的氨根在曝光光源的催化作用下，会形成硫酸氨等固体结晶物质，附着于光刻版表面，形成光刻版结晶缺陷。    

如何减少和预防光刻版结晶缺陷的形成，如何减少光刻版送修清洗时对光刻版图形区物质的损伤，一直是产业界研究的课题。

发明内容

为克服上述问题， 本发明的目的在于提供一种光刻版结构及其制造方法。

本发明提供一种光刻版结构，包括一个基板，位于所述基板表面的光刻版图形，位于光刻版图形上方的蒙膜，所述蒙膜将所述光刻版图形区域罩住，其特征在于：在所述光刻版图形的表面覆盖有一层或多层透明保护层，所述透明保护层位于所述蒙膜的下方。

优选地，所述透明保护层的材料可以是二氧化硅或其他具有高透光率的材料。

优选地，所述具有高透光率的材料的透光率大于95%。

优选地，所述透明保护层具有保形性，所述透明保护层按照所述光刻版图形包覆于所述光刻版图形上。

优选地，所述透明保护层的厚度小于50埃米。

优选地，所述透明保护层可以为顶部平坦的透明保护层。

优选地，所述透明保护层的厚度是曝光光源波长的整数倍，也可以是不影响相移光刻版曝光相位的其他厚度。

本发明还提供一种光刻版结构的制造方法，其特征在于，包括：

步骤S01：在基板表面制备光刻版图形；

步骤S02：在所述光刻版图形的表面形成一层或多层透明保护层；

步骤S03：在所述透明保护层上安装蒙膜。

优选地，步骤S02中，可以在所述光刻版图形的表面直接进行保形性镀膜，按照所述光刻版图形形成所述透明保护层，所述透明保护层的厚度小于50埃米。

优选地，步骤S02中，可以先形成透明材料层将所述光刻版图形的表面覆盖住，再对透明材料层进行平坦化处理，形成所述透明保护层，所述透明保护层的厚度是曝光光源波长的整数倍。

优选地，所述透明保护层的厚度也可以是不影响相移光刻版曝光相位的其他厚度。

优选地，所述平坦化处理可以采用化学机械研磨方法。

优选地，所述透明保护层的材料可以是二氧化硅或其他具有高透光率的材料。

优选地，所述具有高透光率的材料的透光率大于95%。

本发明提供一种光刻版结构及其制造方法，通过在光刻版图形的表面形成一层或多层透明保护层，首先利用透明保护层将残留于基板中的酸根和空气中的氨根隔绝，防止两者在曝光光源的催化作用下，在光刻版图形表面形成硫酸氨等固体结晶物质，减少和预防光刻版图形表面的结晶缺陷形成，从而提高光刻版的量率，减少光刻版送修的几率；其次，对于相移光刻版，透明保护层为二氧化硅等稳定物质，可以大大避免光刻版送修时清洗工艺对相移光刻版的相移层造成的损伤，有效保护光刻版图形，延长光刻版的使用寿命。

附图说明