[发明专利]湿法刻蚀后的清洗方法

权利要求书

1.一种湿法刻蚀后的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

通过第一次光刻工艺在金属铝上形成图形化的光刻胶；

进行光刻胶烘干；

进行光刻胶干法灰化；

以所述图形化的光刻胶为掩膜，以各向同性湿法刻蚀所述金属铝以形成沟槽，所述沟槽贯穿所述金属铝下方的薄氧化层并延伸至衬底，使所述衬底产生硅屑；其中所述薄氧化层的厚度小于所述沟槽的宽度；

去除所述光刻胶；

进行第一次湿法去除硅屑残留；

通过与所述第一次光刻工艺的工艺条件相同的第二次光刻工艺在经湿法刻蚀后的金属铝上形成图形化的光刻胶；

进行光刻胶烘干；

进行光刻胶干法灰化；

进行与所述第一次湿法去除硅屑残留的工艺条件相同的第二次湿法去除硅屑残留。

2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀后的清洗方法，其特征在于，所述光刻工艺包括涂覆光刻胶层，曝光及显影，其中所述光刻胶层的厚度为2至2.5微米。

3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀后的清洗方法，其特征在于，进行光刻胶烘干的温度为100至120℃，时间为10至30分钟。

4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀后的清洗方法，其特征在于，进行光刻胶干法灰化的灰化气体为四氟化碳与氧气，灰化时间为10至30秒。

5.根据权利要求1所述的湿法刻蚀后的清洗方法，其特征在于，通过铝腐蚀液湿法刻蚀所述金属铝，其中所述铝腐蚀液成分包括80％磷酸，5％硝酸，5％乙酸和10％水；工艺温度为35至45℃。

6.根据权利要求1所述的湿法刻蚀后的清洗方法，其特征在于，去除所述光刻胶的工艺气体为氧气，时间为30至90分钟。

7.根据权利要求1所述的湿法刻蚀后的清洗方法，其特征在于，通过去硅屑液湿法去除硅屑残留，其中所述去硅屑液的成分包括60％～70％磷酸，5％～10％硝酸，10％～20％乙酸和10％～20％水；工艺温度为23至25℃，时间为1至10分钟。