[发明专利]沟槽式金属氧化物半导体场效应管

权利要求书

1.一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管，包括位于有源区的多个晶体管单元和位于终端区的多个悬浮的沟槽栅，还包括：

第一导电类型的衬底；

第一导电类型的外延层，其位于所述衬底之上，且所述外延层的多数载流子浓度低于所述衬底；

第一导电类型的源区，位于有源区并连接至一个源极金属焊盘，所述源区靠近所述外延层的上表面，并且所述源区的多数载流子浓度大于所述外延层；

第二导电类型的第一体区，位于有源区中的所述外延层中，且位于所述源区下方；

第二导电类型的第二体区，位于所述外延层中，且位于包括所述终端区在内的所述有源区的外围，所述第二体区上方不存在所述源区；

多个第一沟槽栅，位于所述有源区，被所述源区和所述第一体区包围；

至少一个第二沟槽栅，用于栅极连接，其被所述第二体区包围且延伸至所述第一沟槽栅，其中所述至少一个第二沟槽栅连接至一个栅极金属焊盘；

所述多个悬浮的沟槽栅平行形成于所述终端区中，并且围绕所述有源区的外围，所述多个悬浮的沟槽栅各自具有悬浮的电压并被所述第二体区包围，并且所述多个悬浮的沟槽栅的沟槽深度大于或等于所述第二体区的结深；

至少一个沟道阻止沟槽栅，其位于所述终端区并围绕所述多个悬浮的沟槽栅的外围，每个所述的沟道阻止沟槽栅连接到至少一个切割沟槽栅，其中每个所述的切割沟槽栅延伸过切割道。

2.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其中邻近所述的有源区的所述的第二体区通过一个沟槽式体接触区连接到所述的源极金属焊盘。

3.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其中邻近所述的有源区的所述的第二体区没有连接到所述的源极金属焊盘，而是具有悬浮的电压。

4.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其中在所述的终端区只有一个沟道阻止沟槽栅，其中所述的一个沟道阻止沟槽栅连接到至少一个切割沟槽栅。

5.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其中在所述的终端区有多个沟道阻止沟槽栅，其中每个所述的沟道阻止沟槽栅都连接到至少一个切割沟槽栅。

6.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其中所述的第一导电类型为N型，所述的第二导电类型为P型。

7.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其中所述的第一导电类型为P型，所述的第二导电类型为N型。

8.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其中位于所述的有源区中的所述的晶体管单元为闭合单元结构。

9.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其中位于所述的有源区中的所述的晶体管单元为带状单元结构。

10.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其中所述的至少一个第二沟槽栅只位于所述的栅极金属焊盘下面。

11.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，还包括一个栅极金属浇道，其围绕在所述的有源区外围并延伸至所述的栅极金属焊盘，其中所述的至少一个第二沟槽栅不仅位于所述的栅极金属焊盘下面，还位于所述的栅极金属浇道下面。

12.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，还包括一个具有所述的第一导电类型的掺杂区，其掺杂浓度高于所述的外延层，围绕所述的第一沟槽栅、至少一个第二沟槽栅、切割沟槽栅和多个悬浮的沟槽栅的底部。

13.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其中位于所述的终端区中的所述的多个悬浮的沟槽栅与位于所述的有源区中的第一沟槽栅具有相同的沟槽宽度和相同的沟槽深度。

14.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其中位于所述的终端区中的所述的多个悬浮的沟槽栅的沟槽宽度和沟槽深度大于位于所述的有源区中的第一沟槽栅。

15.根据权利要求14所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其中所述的多个悬浮的沟槽栅的沟槽宽度沿着所述的终端区边缘的方向逐渐增大。

16.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其中所述的多个悬浮的沟槽栅的沟槽宽度沿着所述的终端区边缘的方向逐渐减小。