[发明专利]一种衬底图形化的倒装LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，包括用于出光的蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上形成的InGaAlN多层结构，其特征在于：所述倒装LED芯片的蓝宝石衬底表面进行了图形化刻蚀。

2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述InGaAlN多层结构包括N型GaN层、有源层和P型GaN层，在所述P型GaN层上形成的反射层，在反射层表面部分区域刻蚀至暴露出N型GaN层形成的N电极孔，在反射层表面的部分区域和N电极孔的侧壁形成的钝化层，在N电极孔内沉积金属并将多个N电极孔连接起来形成的N电极，在未被钝化层覆盖的反射层上形成的P电极，所述钝化层将N电极与P电极隔开。

3.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述蓝宝石衬底的厚度为100μm～200μm。

4.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述图形化的蓝宝石衬底的图形形状为三棱锥行、倒圆锥形或半球形等任意常见的规则形状。

5.一种倒装LED芯片的制备方法，包括以下步骤：

在蓝宝石衬底上制备InGaAlN多层结构；

对所述蓝宝石衬底背面进行减薄和抛光处理；

对所述蓝宝石衬底背面之外的面用涂胶、金属或半导体金属氧化物进行保护；

在减薄和抛光处理后的蓝宝石衬底上涂光刻胶，进行光刻处理；

将光刻处理后的蓝宝石衬底进行图形化刻蚀；

去除光刻胶；

去除蓝宝石衬底背面之外的面的保护层。

6.如权利要求6所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于：所述InGaAlN多层结构包括N型GaN层、有源层和P型GaN层，在所述P型GaN层上形成的反射层，在反射层表面部分区域刻蚀至暴露出N型GaN层形成的N电极孔，在反射层表面的部分区域和N电极孔的侧壁形成的钝化层，在N电极孔内沉积金属并将多个N电极孔连接起来形成的N电极，在未被钝化层覆盖的反射层上形成的P电极，所述钝化层将N电极与P电极隔开。

7.如权利要求6所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于：所述蓝宝石衬底图形化刻蚀方法为干法刻蚀。

8.如权利要求6所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于：所述蓝宝石衬底图形化刻蚀方法为湿法刻蚀。

9.如权利要求6所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于：所述图形化过程在整个晶圆片或者单个管芯上进行。

10.如权利要求6所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于：所述刻蚀的图形可以是三棱锥行、倒圆锥形或半球形等任意常见的规则形状。