[发明专利]电激发光显示面板有效
申请号: | 201210579016.3 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN103123925A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 陈奎百;李家豪;廖烝贤 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激发 显示 面板 | ||
1.一种电激发光显示面板,具有一像素单元,其中该像素单元包括一红色次像素、一绿色次像素与一蓝色次像素,分别位于一红色次像素区、一绿色次像素区与一蓝色次像素区,该红色次像素区、该绿色次像素区与该蓝色次像素区分别包括一穿透区,其特征在于,该电激发光显示面板包括:
多个电激发光元件,分别位于该红色次像素区、该绿色次像素区与该蓝色次像素区内,分别用以提供一白光;以及
一彩色滤光图案,包括:
一红色滤光层,位于该红色次像素区内,用以使该白光在穿透该红色滤光层后转换成一红光,其中该红色滤光层的一频谱的一最高峰大体上介于720纳米与780纳米之间,且其相对强度大体上介于0.95与1之间;
一绿色滤光层,位于该绿色次像素区内,用以使该白光在穿透该绿色滤光层后转换成一绿光,其中该绿色滤光层的一频谱的一最高峰大体上为537±2纳米,且其相对强度大体上介于0.88与0.9之间;以及
一蓝色滤光层,位于该蓝色次像素区内,用以使该白光在穿透该蓝色滤光层后转换成一蓝光,其中该蓝色滤光层的一频谱的一最高峰大体上为453±2纳米,且其相对强度大体上介于0.74与0.76之间。
2.根据权利要求1所述的电激发光显示面板,其特征在于,该电激发光元件所提供的该白光的频谱具有三个波峰。
3.根据权利要求2所述的电激发光显示面板,其特征在于,该电激发光元件所提供的该白光具有一白点色坐标Wx与Wy,0.316<Wx<0.319,0.33<Wy<0.36。
4.根据权利要求1所述的电激发光显示面板,其特征在于,该像素单元由该红色次像素、该绿色次像素与该蓝色次像素所组成。
5.根据权利要求4所述的电激发光显示面板,其特征在于,位于该红色次像素区的该穿透区的该红色滤光层、位于该绿色次像素区的该穿透区的该绿色滤光层与位于该蓝色次像素区的该穿透区的该蓝色滤光层的面积比大体上为0.94~0.98:0.81~0.85:1.19~1.23。
6.根据权利要求4所述的电激发光显示面板,其特征在于,位于该红色次像素区的该穿透区的该红色滤光层、位于该绿色次像素区的该穿透区的该绿色滤光层与位于该蓝色次像素区的该穿透区的该蓝色滤光层的面积比大体上为0.78~0.82:0.69~0.73:1.47~1.51。
7.根据权利要求1所述的电激发光显示面板,其特征在于,另具有一白色次像素区,其中白色次像素区包括一穿透区,该像素单元由该红色次像素、该绿色次像素、该蓝色次像素与一白色次像素所组成,该白色次像素设置于该白色次像素区内,包含一电激发光元件用以提供一白光,且该彩色滤光图案另具有一白色滤光层,用以使该白光在通过该白色滤光层后仍为白光。
8.根据权利要求7所述的电激发光显示面板,其特征在于,该白色滤光层的一频谱的一最低峰为430±2纳米,且其相对强度大体上介于0.9与1之间。
9.根据权利要求7所述的电激发光显示面板,其特征在于,位于该红色次像素区的该穿透区的该红色滤光层、位于该绿色次像素区的该穿透区的该绿色滤光层、位于该蓝色次像素区的该穿透区的该蓝色滤光层与位于该白色次像素区的该穿透区的该白色滤光层的面积比大体上为0.47~0.51:0.47~0.51:1.5~1.54:0.47~0.51。
10.根据权利要求7所述的电激发光显示面板,其特征在于,位于该红色次像素区的该穿透区的该红色滤光层、位于该绿色次像素区的该穿透区的该绿色滤光层、位于该蓝色次像素区的该穿透区的该蓝色滤光层与位于该白色次像素区的该穿透区的该白色滤光层的面积比大体上为0.47~0.51:0.43~0.47:143~147:043~047。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的