[发明专利]基于电荷补偿的SAR 结构ADC 修调方法及修调电路无效
申请号: | 201210578751.2 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN103152046A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 田泽;邵刚;赵强;郭蒙 | 申请(专利权)人: | 中国航空工业集团公司第六三一研究所 |
主分类号: | H03M1/12 | 分类号: | H03M1/12 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 王少文 |
地址: | 710068 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 电荷 补偿 sar 结构 adc 方法 电路 | ||
1.一种基于电荷补偿的SAR结构ADC修调电路,其特征在于:包含一个寄存器组、一个衰减电容和一个修调阵列,所述寄存器组包含多组寄存器,所述寄存器的数量和待修调的主电容阵列的开关个数一致;所述修调阵列包含多个2进制权重电容网络,所述电容网络的数量和待修调的主电容阵列的开关个数一致,所述修调阵列通过衰减电容耦合至待修调的主电容阵列;所述寄存器控制修调阵列中相应的电容开关的切换方向。
2.一种基于电荷补偿的SAR结构ADC修调方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1初始化最高位开关对应的寄存器;SAR结构ADC中待修调的主电容阵列最高位开关(S11)闭合,将相应的比较电荷Q’注入待修调的主电容阵列,Q’=2n-1C*Vin+ΔQ,其中:Vin为待转换的输入电压;n为待修调的主电容阵列对应开关的数量;C为待修调的主电容最低位对应的理想电容值;ΔQ=σC*Vin为误差电荷;σ为最高位开关对应电容的归一化偏差系数;
步骤2调整步骤:
步骤2.1通过主机接口向最高位开关对应的寄存器写入调试值,寄存器根据调试值产生相对应的调试电荷,并将调试电荷注入待修调的主阵列;
步骤2.2将调试电荷与误差电荷进行比较,根据比较结果通过主机接口改变寄存器的调试值,直至调试电荷与误差电荷相抵消;
步骤2.3将最终调试值固化在该寄存器中;
步骤3按照高位到低位的顺序,重复步骤1和步骤2直至最低位的最终调试值固化在寄存器中,完成修调。
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