[发明专利]半导体二极管封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：

步骤一，提供焊接设备，该焊接设备包括烘烤装置、吸嘴及配套控制系统；

步骤二，提供基板承载于焊接设备的烘烤装置上；

步骤三，提供二极管芯片，利用吸嘴吸取并携带二极管芯片贴合至与基板的顶面上，二极管芯片与基板之间设置有焊料，得到所述半导体二极管封装结构的半成品；

步骤四，按照半导体二极管封装结构的额定功率对基板供电使二极管芯片工作，根据二极管芯片工作状况对应调整二极管芯片在基板上的定位，并向焊接设备的控制系统输入半导体二极管封装结构的额定功率；

步骤五，在二极管芯片在基板上的定位完成后，所述控制系统根据额定功率计算半成品的温升而控制所述烘烤装置对二极管芯片及基板进行焊接过程，完成焊接过程后得到所述半导体二极管封装结构。

2.如权利要求1所述的半导体二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述半成品具有热阻值R，根据半导体二极管封装结构的额定功率P，半成品的温升ΔT通过以下公式计算：ΔT=P*R。

3.如权利要求2所述的半导体二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述基板具有热阻值R_B，焊料具有热阻值R_S，发光二极管芯片具有热阻值R_D，所述半成品具有的热阻值R通过以下公式计算：R=R_B+R_S+R_D。

4.如权利要求2所述的半导体二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述半成品具有的热阻值R为通过有限次地实验结果采用平均值而获得。

5.如权利要求1所述的半导体二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述焊料直接形成于基板的顶面上。

6.如权利要求1所述的半导体二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述二极管芯片通过一传送带被送料至焊接设备，以实现流水线作业。

7.如权利要求1所述的半导体二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述二极管芯片为激光二极管或发光二极管。

8.如权利要求1所述的半导体二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述焊料采用材料为Pb与Sn、In、或Au与Sn。

9.如权利要求1所述的半导体二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述基板的材质为硅、铝或铜。

10.一种半导体二极管封装结构，该半导体二极管封装结构包括基板、设置于基板上的二极管芯片及形成于二极管芯片与基板之间的焊接金属层，其特征在于：所述半导体二极管封装结构由如权利要求1-9中任一项所述的半导体二极管封装结构的制造方法所制造。