[发明专利]液晶显示面板及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示装置技术领域，尤其涉及一种液晶显示面板及其制造方法。

背景技术

近年来随着液晶显示器尺寸的不断增大，现有液晶显示面板用的非晶硅薄膜晶体管迁移率很难满足要求。高迁移率的薄膜晶体管有多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，尽管对多晶硅薄膜晶体管研究比较早，但多晶硅薄膜晶体管的均一性差，制作工艺复杂；金属氧化物薄膜晶体管具有迁移率高、均一性好、透明、制作工艺简单的特点，可以更好地满足大尺寸液晶显示器和有源有机电致发光的需求，备受人们的关注，成为最近几年的研究热点。

目前金属氧化物薄膜晶体管的主要结构有刻蚀阻挡层型、背沟道刻蚀型和共面型三种类型。刻蚀阻挡层型金属氧化物薄膜晶体管制作工艺简单，在金属氧化物上形成刻蚀阻挡层，可以在形成源漏金属电极时保护金属氧化物层不被破坏，从而提高金属氧化物薄膜晶体管的性能。图1是现有技术中刻蚀阻挡层型金属氧化物薄膜晶体管的结构图，包括玻璃基板1，在玻璃基板上的栅极层2，覆盖栅极层的栅绝缘层3，在栅绝缘层上的薄膜晶体管沟道层4，该薄膜晶体管沟道层的材料为金属氧化物，在薄膜晶体管沟道层之上的刻蚀阻挡层5，以及漏电极6和源电极7。

目前在金属氧化物薄膜晶体管的制作工艺中，一般地是薄膜晶体管沟道层的图案化完成后，再进行刻蚀阻挡层及后续各层的制作，这样势必造成薄膜晶体管沟道层与刻蚀阻挡层接触面不同程度的损伤，从而影响液晶显示面板特性。

同时为了进行电极的连接，要在源极层和漏极层以及栅极层上形成接触孔。由于在栅极层上具有栅绝缘层，在栅极上形成接触孔时要进行深孔刻蚀，而源漏极上进行的是浅孔刻蚀，由于刻蚀选择比的问题，在同时进行深浅接触孔刻蚀时存在源漏金属过刻严重的问题，有些甚至会刻透，存在很大风险。如果分别进行源漏极和栅电极上的孔刻蚀，又会增加工艺步骤，增加成本。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提出一种液晶显示面板及其制造方法,使得能够改善金属氧化物层与刻蚀阻挡层之间的接触界面特性,从而改善液晶显示面板的特性,同时能够解决接触孔刻蚀时源/漏金属层刻蚀严重的问题,并且在TN液晶模式的显示面板制备过程中能够节省刻蚀金属氧化物薄膜晶体管沟道层所用的光罩,提高产线稼动率。

为达此目的，本发明实施例提供一种液晶显示面板，包括：绝缘基板、形成在所述绝缘基板上的薄膜晶体管，形成在所述薄膜晶体管栅绝缘层上的薄膜晶体管沟道层，形成在所述薄膜晶体管沟道层上的刻蚀阻挡层，刻蚀所述刻蚀阻挡层时使所述薄膜晶体管栅绝缘层形成薄膜晶体管源/漏电极处同时被刻蚀预设厚度。

进一步地，所述薄膜晶体管栅绝缘层、所述薄膜晶体管沟道层及所述刻蚀阻挡层连续成膜。

具体地，所述预设厚度的设置标准为能够避免所述薄膜晶体管源/漏电极被过刻蚀。

薄膜晶体管栅极层、所述薄膜晶体管源/漏电极层的包括能暴露出所述栅极薄膜晶体管栅极层、所述源/漏电极层的接触孔，所述薄膜晶体管栅极层上的接触孔形成在未被所述薄膜晶体管沟道层覆盖的区域。

所述薄膜晶体管沟道层的材料为氧化铟镓锌、氧化锌、氧化铟锌、氧化镉锡中的任一种。

所述刻蚀阻挡层的材料为氧化硅，氮化硅或氧化铝中的任一种或两种。

另外，本发明的实施例还提供一种形成液晶面板的方法，包括：提供一绝缘基板，在绝缘基板上形成薄膜晶体管栅极层，在所述薄膜晶体管栅极层之上形成栅绝缘层，在所述栅绝缘层之上形成薄膜晶体管沟道层，在所述薄膜晶体管沟道层之上形成刻蚀阻挡层，最后形成薄膜晶体管源/漏电极层，在图案化刻蚀阻挡层时将所述薄膜晶体管栅绝缘层形成薄膜晶体管源/漏电极处刻蚀预设厚度。

进一步地，所述薄膜晶体管栅绝缘层、所述薄膜晶体管沟道层及所述刻蚀阻挡层连续成膜形成。

所述预设厚度的设置标准为能够避免所述薄膜晶体管源/漏电极被过刻蚀。

在所述薄膜晶体管栅极层、所述薄膜晶体管源/漏电极层的上形成能暴露出所述薄膜晶体管栅极层、所述薄膜晶体管源/漏电极层的接触孔，在未被所述薄膜晶体管沟道层覆盖的所述薄膜晶体管栅极层上形成接触孔。

所述金属氧化物薄膜晶体管沟道层的材料为氧化铟镓锌、氧化锌、氧化铟锌、氧化锑锡中的任一种。

所述蚀刻阻挡层的材料为氧化硅，氮化硅或氧化铝中的任一种或两种。

与现有技术相比,本发明的实施例能够改善液晶显示面板的性能,避免液晶显示面板的薄膜晶体管源/漏极在深浅孔刻蚀时由于刻蚀选择比差异太大而被过刻蚀，提高液晶显示面板生产成品率。

附图说明