[发明专利]一种带有浸液回收装置的光刻机硅片台双台交换系统

权利要求书

1.一种带有浸液回收装置的光刻机硅片台双台交换系统，该系统含有基座（7），两个硅片台，两个线缆台，光学透镜系统（2）和光刻浸液喷射循环装置（3），所述的光刻浸液喷射循环装置包括浸没液体（6）、浸液流出机构（4）和浸液吸收机构（5）；所述的基座（7）上设有对准工位和曝光工位，所述的硅片台上部的四个侧面均为平面反射镜，其中两个相对反射镜面下半部分还分别安装有一条45°反射镜，所述的每个硅片台的一个侧面下部安装一个线缆台，所述的线缆台沿X轴方向放置在基座（7）上，其特征在于：在所述的其中一个硅片台上安装一个浸液回收装置，所述的浸液回收装置包括一个浸液过渡板（15）、导液管、浸液回收容器（14）和抽吸泵（13）；所述的浸液过渡板（15）安装在两个硅片台任意一个上，且与线缆台相对布置，浸液过渡板（15）的上表面与硅片台上表面共面，浸液过渡板（15）上表面平滑并喷涂有不浸润涂层；所述的浸液过渡板（15）的侧面设有一排小孔，小孔与导液管连通，导液管经过线缆台与外部的抽吸泵和浸液回收容器相连通。 

2.一种带有浸液回收装置的光刻机硅片台双台交换系统，该系统含有基座（7），两个硅片台，两个线缆台，光学透镜系统（2）和光刻浸液喷射循环装置，所述的光刻浸液喷射循环装置包括浸没液体（6）、浸液流出机构（4）和浸液吸收机构（5）；所述的基座（7）上设有对准工位和曝光工位，所述的硅片台上部的四个侧面均为平面反射镜，其中两个相对平面反射镜面下半部分还分别安装有一条45°反射镜，所述的每个硅片台的一个侧面下部安装一个线缆台，所述的线缆台沿X轴方向放置在基座（7）上，其特征在于：所述的每个硅片台上各安装一个浸液回收装置，每个浸液回收装置包括一个浸液过渡板（15）、导液管、浸液回收容器和抽吸泵；所述的浸液过渡板（15）安装在每个硅片台上，且与线缆台相对布置，浸液过渡板（15）的上表面与硅片台上表面共面，浸液过渡板（15）上表面平滑并喷涂有不浸润涂层；所述的浸液过渡板（15）的侧面设有一排小孔，小孔与导液管连通，导液管经过线缆台与外部的抽吸泵和浸液回收容器相连通。 

3.按照权利要求1或2所述的一种带有浸液回收装置的光刻机硅片台双台交换系统，其特征在于：所述的光刻机双台交换系统还包含用于硅片台运动位置反馈的激光干涉仪测量系统，所述的激光干涉仪测量系统包括两个激光干涉仪、四个激光干涉仪Z向反射镜和光源；所述的两个激光干涉仪布置在基台的对准工位和曝光工位正上方，沿Y轴关于X轴对称布置，分别以第一硅片台（8）和第二硅片台（9）上相对应的镜面为反射面进行测量；所述的四个激光干涉仪Z向反射镜在硅片台的上方沿Y轴成对布置，反射面水平向下，将激光干涉仪射出的其中一束激光经过硅片台侧面安装的45°反射镜面反射后，再射向激光干涉仪Z向反射镜的反射面，然后沿原路返回激光干涉仪内部，进行Z轴方向位移测量。 

4.按照权利要求1或2所述的一种带有浸液回收装置的光刻机硅片台双台交换系统，其 特征在于：所述光刻机硅片台双台交换还包括一套硅片台防撞气囊结构，该硅片台防撞气囊结构包含有三个气囊（20）、四个阻尼缓冲元件（21）和气源（23），所述的三个气囊串联布置，并分别通过气囊支架（22）固定在硅片台下部的另外三个侧面上；相邻两个气囊之间通过一个阻尼缓冲元件（21）和气体管路相连通，所述的气体管路与气源（23）相连通，气体管路固定在线缆台上。 

5.按照权利要求1所述的一种带有浸液回收装置的光刻机硅片台双台交换系统，其特征在于：所述的第一硅片台（8）和第二硅片台（9）分别与基座（7）之间通过磁悬浮进行驱动和寻向。