[发明专利]浮栅的制备方法

权利要求书

1.一种浮栅的制备方法，包括以下步骤：

S1，在半导体衬底（10）上形成浅沟槽隔离结构（20），且所述浅沟槽隔离结构（20）的上表面高出于所述半导体衬底（10）上表面第一高度H1；

S2，通过离子注入在所述半导体衬底（10）上形成有源区；

S3，在所述半导体衬底（10）上形成隧道氧化物层（30）；

S4，在所述隧道氧化物层（30）上沉积形成浮栅材料层；

S5，平坦化所述浮栅材料层露出所述浅沟槽隔离结构（20）的上表面；以及

S6，刻蚀去除部分所述浅沟槽隔离结构（20），形成所述浮栅（40）；其特征在于，所述步骤S6包括：

采用湿法刻蚀去除第二高度H2的所述浅沟槽隔离结构（20），使得所述浮栅（40）与后续形成的控制栅之间耦合率较高；

然后采用干法刻蚀去除第三高度H3的所述浅沟槽隔离结构（20），形成所述浮栅（40），其中，H2+H3≤H1。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一高度H1为600~700埃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二高度H2为250~400埃。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中的所述湿法刻蚀包括采用含有氢氟酸的蚀刻液进行蚀刻。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中的所述干法刻蚀包括以四氟化碳作为前驱体进行蚀刻。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

在所述半导体衬底（10）上沉积形成垫氧化物层和氮化层；

刻蚀形成沟槽区，并沉积形成氧化硅层填充所述沟槽区至所述氮化层之上；

平坦化所述氧化硅层至所述氮化层；

刻蚀去除所述氮化层和所述垫氧化层，得到所述浅沟槽隔离结构（20）。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底（10）的材质为硅晶片、硅绝缘体或外延硅片。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述氧化硅层通过高密度等离子体工艺沉积而成。

9.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S6之后进一步包括：在所述浮栅上形成介电层，所述介电层为氧化硅-氮化硅-氧化硅层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述介电层的厚度为140±3埃。