[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：

提供衬底；

将多晶硅层形成在所述衬底上方；

将第一光刻胶层形成在所述多晶硅层上方；

在所述第一光刻胶层上方制造第一图案，其中，所述多晶硅层的一些部分被所述第一光刻胶层覆盖并且所述多晶硅层的一些部分没有被所述第一光刻胶层覆盖；

将离子注入到所述多晶硅层没有被所述第一光刻胶层覆盖的部分；

从所述多晶硅层去除所述第一光刻胶层；

将第二光刻胶层形成在所述多晶硅层上方；

在所述第二光刻胶层上方制造第二图案，其中，所述多晶硅层的一些部分被所述第二光刻胶层覆盖并且所述多晶硅层的一些部分没有被所述第二光刻胶层覆盖；

将离子注入到所述多晶硅层没有被所述第二光刻胶层覆盖的部分中；

从所述多晶硅层去除所述第二光刻胶层；

使用蚀刻剂去除部分所述多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化所述第一光刻胶层形成多个第一部件并且图案化所述第二光刻胶层形成多个第二部件。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，相邻的所述第一部件之间的间距与相邻的所述第二部件之间的间距基本上相同。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，第一间隔形成在相邻的所述第一部件之间并且第二间隔形成在相邻的所述第二部件之间。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一间隔和所述第二间隔表示所述多晶硅层要进行离子注入的部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，栅极介电层形成在所述衬底上方。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述离子垂直注入所述多晶硅层中。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻剂是基本蚀刻剂。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基本蚀刻剂是TMAH、NaOH、KOH、NH₄℃H中的至少一种。

10.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：

提供衬底；

将多晶硅层形成在所述衬底上方；

将第一光刻胶层形成在所述多晶硅层上方，所述第一光刻胶层包括：第一顶部有机层；第一中间无机层，位于所述第一顶部有机层下方；以及第一底部有机层，位于所述第一中间无机层下方。

在所述第一光刻胶层上方制造第一图案，其中，所述多晶硅层的一些部分被所述第一光刻胶层覆盖并且所述多晶硅层的一些部分没有被所述第一光刻胶层覆盖；

将离子注入到所述多晶硅层没有被所述第一光刻胶层覆盖的部分；

从所述多晶硅层去除所述第一光刻胶层；

将第二光刻胶层形成在所述多晶硅层上方；

在所述第二光刻胶层上方制造第二图案，其中，所述多晶硅层的一些部分被所述第二光刻胶层覆盖并且所述多晶硅层的一些部分没有被所述第二光刻胶层覆盖；

将离子注入到所述多晶硅层没有被所述第二光刻胶层覆盖的部分；

从所述多晶硅层去除所述第二光刻胶层；以及

使用蚀刻剂去除部分所述多晶硅层。