[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

制备具有前表面（3a）的半导体衬底（3）；

在所述前表面（3a）上形成电绝缘层（6）；

通过使用所述绝缘层（6）作为掩模来在所述半导体衬底（3）中形成多个沟槽（8），以使得所述绝缘层（6）的第一部分（6a）位于相邻沟槽（8）之间的所述前表面（3a）上，并且使得所述绝缘层（6）的第二部分（6b）位于除了相邻沟槽（8）之间以外的位置处的所述前表面（3a）上；

通过完全去除所述第一部分（6a）并部分地去除所述第二部分（6b）来去除所述绝缘层（6），以使得所述多个沟槽（8）中的每一个的开口周围的所述第二部分（6b）被去除；

通过在所述前表面（3a）侧上外延生长外延层（9），而利用所述外延层（9）填充所述多个沟槽（8），以及

通过使用所述第二部分（6b）作为抛光停止部对所述外延层（9）进行抛光，而对所述前表面（3a）侧进行平坦化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述形成所述绝缘层（6）包括形成氧化物层，并且

所述去除所述绝缘层（6）包括在非还原性气氛中对所述绝缘层（6）进行退火。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述多个沟槽（8）之前，在所述绝缘层（6）上形成抗蚀剂（11），其中：

所述形成所述多个沟槽（8）包括不仅使用所述绝缘层（6）还使用所述抗蚀剂（11）作为所述掩模，并且

所述去除所述绝缘层（6）包括通过使用所述抗蚀剂（11）作为所述掩模而对所述绝缘层（6）进行各向同性蚀刻。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述制备所述半导体衬底（3）包括制备具有由切割线（4）分割的多个芯片区（5）的半导体晶片，并且

所述去除所述绝缘层（6）包括在所述切割线（4）上留下所述第二部分（6b）。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述对所述前表面（3a）侧进行平坦化包括进行第一平坦化工艺和第二平坦化工艺，

所述进行所述第一平坦化工艺包括通过使用所述第二部分（6b）作为所述抛光停止部来用第一抛光液对所述外延层（9）进行抛光，

所述进行所述第二平坦化工艺包括用第二抛光液同时对所述前表面（3a）上的所述第二部分（6b）和所述外延层（9）进行抛光，直到抛光掉预定厚度的所述前表面（3a），

所述第二抛光液的抛光选择性小于所述第一抛光液的抛光选择性，并且

所述抛光选择性是抛光所述半导体衬底（3）的第一速率与抛光所述氧化物层（6）的第二速率的比。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中：

所述制备所述半导体衬底（3）包括制备第一导电类型的所述半导体衬底，并且

所述填充所述多个沟槽（8）包括外延生长第二导电类型的所述外延层（9），以使得超结结构配备有每个沟槽（8）内的所述外延层（9）和相邻沟槽（8）之间的所述半导体衬底（3）。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中：

所述形成所述绝缘层（6）包括形成热氧化物层。