[发明专利]高长宽比电路图形及其制作方法

权利要求书

1.一种电路图形，其特征在于，包含：

多条并行线；

多个支撑性绝缘结构，形成在该些并行线之间的空间中；以及

至少一支撑线，与该些并行线交会，所述支撑线与该些并行线之间的连结会被一个切过该些并行线与该些支撑性绝缘结构的间隙结构给切断。

2.根据权利要求1所述的电路图形，其特征在于，该些并行线为位线或字线。

3.一种形成电路图形的工艺，其特征在于，包含：

在一基材上形成多条并行线以及至少一条与该些并行线交会的支撑线；

在该些并行线与所述支撑线之间的空间中形成支撑性绝缘结构；以及

在形成所述支撑线绝缘结构后切断该些并行线与所述支撑线之间的连结。

4.根据权利要求3所述的形成电路图形的工艺，其特征在于，切断该些并行线与所述支撑线之间的连结的步骤包含移除所述支撑线。

5.根据权利要求3所述的形成电路图形的工艺，其特征在于，切断该些并行线与所述支撑线之间的连结的步骤包含形成一个切过该些并行线与该些绝缘结构的间隙结构。

6.根据权利要求3所述的形成电路图形的工艺，其特征在于，更包含在切断该些并行线与所述支撑线之间的连结后将该些并行线图形化为一柱状体阵列。

7.根据权利要求6所述的形成电路图形的工艺，其特征在于，更包含在将该些并行线图形化为一柱状体阵列的步骤后形成一垂直式存储单元结构的部件，所述部件包含堆叠式电容、埋入式字线、埋入式位线、环绕式栅极结构、或是垂直式晶体管。

8.一种形成电路图形的工艺，其特征在于，包含：

在一基材上形成多条并行线；

在该些并行线之间的空间中形成支撑性绝缘结构；

移除部分的该些支撑性绝缘结构使得部分的所述基材裸露出来，而有部分的该些支撑性绝缘结构则余留在该些并行线之间；

在该些并行线与所述余留的绝缘结构上形成光刻胶；以及

刻蚀所述裸露的基材直到达到该些并行线的目标高长宽比。

9.根据权利要求8所述的形成电路图形的工艺，其特征在于，更包含在达到所述目标高长宽比之后借由形成一个切过该些并行线的间隙结构来切断该些并行线之间的连结。

10.根据权利要求8所述的形成电路图形的工艺，其特征在于，更包含在达到所述目标高长宽比之后将该些并行线图形化为一柱状体阵列。

11.根据权利要求10所述的形成电路图形的工艺，其特征在于，更包含在将该些并行线图形化为一柱状体阵列后形成一垂直式存储单元结构的部件，所述部件包含堆叠式电容、埋入式字线、埋入式位线、环绕式栅极结构、或是垂直式晶体管。