[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

栅极，形成在基板上且具有以固定间隔分开的多个水平电极部；

栅绝缘膜，形成在包含栅极的基板的整个表面上方；

有源图案，形成在多个水平电极部上方的栅绝缘膜上；

蚀刻停止膜图案，形成在有源图案和栅绝缘膜上方，以部分覆盖有源图案和栅极的顶部；

源极，形成在有源图案、栅绝缘膜和蚀刻停止膜图案上，以覆盖相邻水平电极部的顶部；和

漏极，形成在有源图案、栅绝缘膜和蚀刻停止膜图案上，以覆盖位于最外端的水平电极部的顶部。

2.根据权利要求1的薄膜晶体管，其中偏移图案是形成在源极和漏极之间。

3.根据权利要求2的薄膜晶体管，其中该偏移图案覆盖相邻水平电极部的顶部，并且形成在有源图案和栅绝缘膜上。

4.根据权利要求1的薄膜晶体管，其中该有源图案垂直覆盖组成栅极的多个水平电极部。

5.根据权利要求1的薄膜晶体管，其中该源极布置为覆盖栅极的相邻水平电极部的顶部。

6.根据权利要求1的薄膜晶体管，其中该漏极包括至少两个第一电极部和与第一电极部连接在一起的第二电极部，并且该至少两个第一电极部分别上覆盖位于最外端上的两个水平电极部。

7.根据权利要求1的薄膜晶体管，其中该蚀刻停止膜图案覆盖栅极的多个水平电极部。

8.根据权利要求1的薄膜晶体管，其中该有源图案是由氧化物半导体、低温多晶硅或非晶硅制成的。

9.根据权利要求8的薄膜晶体管，其中氧化物半导体包括加入了硅的Zn和选自由Ge、Sn、Pb、In、Ti、Ga和Al组成的组的一种或多种，或者包括：I族元素，如Li和K；II族元素，如Mg、Ca和Sr；III族元素，如Ga、Al、In和Y；IV族元素，如Ti、Zr、Si、Sn和Ge；V族元素，如Ta、Vb、Nb和Sb；属于镧系的元素，如La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu等。

10.一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括步骤：

在基板上形成栅极，该栅极具有以固定间隔分隔开的多个水平电极部；

在包含栅极的基板的整个表面上形成栅绝缘膜；

在栅绝缘膜上，于多个水平电极部上方形成有源图案；

在有源图案和栅绝缘膜上方形成蚀刻停止膜图案，以覆盖有源图案和栅极的顶部；

在有源图案、栅绝缘膜和蚀刻停止膜图案上形成源极，以覆盖相邻水平电极部的顶部；和

在有源图案、栅绝缘膜和蚀刻停止膜图案上形成漏极，以覆盖位于最外端上的水平电极部的顶部。

11.根据权利要求10的方法，进一步包括在源极和漏极之间形成偏移图案的步骤。

12.根据权利要求11的方法，其中形成偏移图案的步骤与形成源极和漏极的步骤同时进行。

13.根据权利要求10的方法，其中有源图案垂直覆盖组成栅极的多个水平电极部。

14.根据权利要求10的方法，其中源极布置为覆盖栅极的相邻水平电极部的顶部。

15.根据权利要求10的方法，其中漏极包括至少两个第一电极部和与第一电极部连接在一起的第二电极部，并且所述至少两个第一电极部分别上覆盖位于最外端的两个水平电极部。

16.根据权利要求10的方法，其中蚀刻停止膜图案上覆盖栅极的多个水平电极部。

17.根据权利要求10的方法，其中有源图案是由氧化物半导体、低温多晶硅或非晶硅制成的。

18.根据权利要求17的方法，其中氧化物半导体包括加入了硅的Zn和选自由Ge、Sn、Pb、In、Ti、Ga和Al组成的组的一种或多种，或者包括：I族元素，如Li和K；II族元素，如Mg、Ca和Sr；III族元素，如Ga、Al、In和Y；Ⅳ族元素，如Ti、Zr、Si、Sn和Ge；Ⅴ族元素，如Ta、Vb、Nb和Sb；属于镧系的元素，如La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu等。