[发明专利]厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法无效
| 申请号： | 201210572829.X | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103904023A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 郭振华;虞颖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 工艺 光刻 去除 方法 | ||
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及厚铝刻蚀工艺中的去胶方法。
背景技术
金属铝刻蚀是集成电路制造中用来形成互联线的重要刻蚀工艺。厚铝刻蚀工艺是整个铝刻蚀工艺中重要的一类，主要用于需要有较大工作电流的产品工艺中，如Power MOS等。厚铝工艺中铝(种类有AlCu和AlSiCu)的厚度通常有30～40K，刻蚀时间较长，相应的用来定义图形的光刻胶也比较厚，通常大约需要4μm（如图1所示）。在刻蚀过程中产生的非挥发性副产物以及光刻胶刻蚀中产生的聚合物容易在铝线侧壁堆积，形成腰带效应，如图2、3所示。
现有的厚铝刻蚀工艺在去除光刻胶时，采用的是多步循环的去胶方法，即在铝刻蚀完成后转移到去胶腔中，先通入水汽，在微波的作用下解离后与光刻胶反应；之后再用N2、O2和H2O的混合气体微波解离后和光刻胶反应，如此循环进行，直至把光刻胶去除。常用的去胶条件如表1所示：
表1多步循环去胶条件
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
