[发明专利]一种InAs雪崩光电二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种InAs雪崩光电二极管，包括：光窗口层，分离的渐变层、电荷层和倍增层；其特征在于：所述倍增层采用Al_xGa_1-xAs_ySb_1-y/InAs多量子阱超晶格结构；其中，x的范围是0.25~1，

2.如权利要求1所述的InAs雪崩光电二极管，其特征在于：所述的多量子阱超晶格结构的势垒层与势阱层的厚度都在5nm~100nm范围内，倍增层的厚度范围是500nm~6um。 

3.如权利要求1所述的InAs雪崩光电二极管，其特征在于：所述渐变层采用至少两种不同组分的Al_mGa_1-mAs_nSb_1-n材料;其中，m是0.25~x范围内的任意值,

4.如权利要求3所述的InAs雪崩光电二极管，其特征在于：所述渐变层的厚度范围是0.02um~0.1um。 

5.如权利要求1所述的InAs雪崩光电二极管，其特征在于：所述光窗口层采用Al_tGa_1-tAs_zSb_1-z材料；厚度是0.05um~1um。其中，t的范围是0.25~1， 

6.一种InAs雪崩光电二极管的制造方法，包括以下步骤： 

S1.产生采用多量子阱超晶格结构的倍增层； 

S2.产生电荷层，渐变层以及光窗口层； 

S3.采用Zn扩散或者Cd扩散工艺形成PN结。 

7.如权利要求6所述的InAs雪崩光电二极管的制作方法，其特征在于：所述倍增层采用非故意掺杂的本征Al_xGa_1-xAs_ySb_1-y/InAs超晶格量子阱，各自厚度在5nm-100nm范围内可变，倍增区域厚度在500nm~6um范围内可变；其中，x的范围是0.25~1，

8.如权利要求6所述的InAs雪崩光电二极管的制作方法，其特征在于：所述电荷层采用p型掺杂，与倍增层采用相同的材料；厚度为0.02um~0.1um，p型掺杂的浓度范围为4×10¹⁶cm^-3~1×10¹⁷cm^-3。 

9.如权利要求6所述的InAs雪崩光电二极管的制作方法，其特征在于：所述渐变层采用不同组分的非故意掺杂的本征Al_mGa_1-mAs_nSb_1-n材料;其中，m是0.25~x范围内的任意值,厚度范围是0.02um~0.1um。 

10.如权利要求6所述的InAs雪崩光电二极管的制造方法，其特征在于：所述光窗口层采用Al_tGa_1-tAs_zSb_1-z材料；其中，t的范围是0.25~1， 厚度范围是：0.01um~1um；掺杂浓度范围是为1×10¹⁷cm^-3~5×10¹⁸cm^-3。