[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，其特征在于，在所述阴极层上依次层叠有机阻挡层、硅化物层、湿气吸收层和散热层。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉，厚度为200-300nm。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述硅化物层的材质为CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或WSi₂，厚度为100nm～150nm。

4.根据权利要求1所述的透明有机电致发光器件，其特征在于，所述湿气吸收层的材质为CaO、BaO、SrO或MgO，厚度为100nm～200nm。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述散热层的材质为铝、银、铜中的一种或几种，厚度为200～500nm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极基底为ITO玻璃基板，所述阳极基底的厚度为100nm；所述空穴注入层的材质为掺杂30%MoO₃的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺，所述空穴注入层厚度为10nm；所述空穴传输层的材质为4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺，所述空穴传输层的厚度为30nm；所述发光层的材质为掺杂5wt%三（2-苯基吡啶）合铱的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述发光层厚度为20nm；所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，所述电子传输层的厚度为10nm；所述电子注入层的材质为掺杂30wt%CsN₃的4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，所述电子注入层的厚度为20nm；所述阴极层的材质为Al，所述阴极层的厚度为100nm。

7.根据权利要求1-5任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件还封装有金属箔片；所述有机电致发光器件封装于所述金属箔片和所述阳极基底内。

8.一种权利要求1-7任一项所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）在阳极基底的阳极层表面依次层叠真空蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；

（2）采用真空蒸镀的方式在阴极层上制备有机阻挡层，所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉；

（3）采用磁控溅射的方法在有机阻挡层上制备硅化物层，所述硅化物层的材质为CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或WSi₂；

（4）采用磁控溅射的方法在硅化物层上制备湿气吸收层，所述湿气吸收层的材质为CaO、BaO、SrO或MgO；

（5）采用真空蒸镀的方法在湿气吸收层上制备散热层，所述散热层的材质为铝、银、铜中的一种或几种；

经过上述步骤即得所述有机电致发光器件。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中真空蒸镀的真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸镀速度为所述步骤（3）中磁控溅射的真空度为1×10^-4Pa～1×10^-3Pa；所述步骤（4）中磁控溅射的真空度为1×10^-4Pa～1×10^-3Pa；所述步骤（5）中真空蒸镀的真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸镀速度为

10.根据权利要求8或9所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机电致发光器件还封装有金属箔片；在所述金属箔片边缘涂布封装胶，用光波长为365nm的UV光进行固化，UV光强15～25mW/cm²，曝光时间300～400s,将所述有机电致发光器件封装于所述金属箔片和阳极基底内。