[发明专利]一种LED芯片结构及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片结构，其特征在于，包括： 

衬底； 

形成在所述衬底之上的缓冲层； 

形成在所述缓冲层之上的N型层； 

形成在所述N型层之上的多量子阱层； 

形成在所述多量子阱层之上的P型层；以及 

形成在所述P型层之上的电流扩散层， 

其中，所述P型层、多量子阱层以及N型层堆叠形成倒置棱台结构。 

2.如权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述倒置棱台结构的侧壁与所述倒置棱台的顶面的夹角为60-70°。 

3.如权利要求2所述的LED芯片结构，其特征在于，所述倒置棱台结构的侧壁与所述倒置棱台的顶面的夹角为67°。 

4.如权利要求1-3任一项所述的LED芯片结构，其特征在于，所述倒置棱台结构的侧壁设有第一布拉格反射层。 

5.如权利要求4所述的LED芯片结构，其特征在于，还包括：位于所述N型层之上的N电极和位于所述电流扩散层之上的P电极。 

6.如权利要求5所述的LED芯片结构，其特征在于，所述电流扩散层中位于所述P电极下方设有第二布拉格反射层。 

7.如权利要求6所述的LED芯片结构的形成方法，其特征在于，所述布拉格反射层材料为SiO₂/TiO₂交替多层薄膜。 

8.一种LED芯片结构的形成方法，其特征在于，包括： 

提供衬底； 

在所述衬底之上形成缓冲层； 

在所述缓冲层之上形成N型层； 

在所述N型层之上形成多量子阱层； 

在所述多量子阱层之上形成P型层； 

刻蚀所述P型层、多量子阱层以及N型层以使其堆叠形成倒置棱台结构； 

在所述P型层之上形成电流扩散层。 

9.如权利要求8所述的LED芯片结构的形成方法，其特征在于，所述倒置棱台结构的侧壁与所述倒置棱台的顶面的夹角为60-70°。 

10.如权利要求9所述的LED芯片结构的形成方法，其特征在于，所述倒置棱台结构的侧壁与所述倒置棱台的顶面的夹角为67°。 

11.如权利要求8-10所述的LED芯片结构的形成方法，其特征在于，还包括，在所述倒置棱台结构的侧壁形成第一布拉格反射层。 

12.如权利要求11所述的LED芯片结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述N型层之上形成N电极，以及在所述电流扩散层之上形成P电极。 

13.如权利要求12所述的LED芯片结构的形成方法，其特征在于，还包括，在所述电流扩散层中位于所述P电极下方的位置形成第二布拉格反射层。 

14.如权利要求13所述的LED芯片结构的形成方法，其特征在于，所述布拉格反射层材料为SiO₂/TiO₂交替多层薄膜。 

15.如权利要求8所述的LED芯片结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述P型层、多量子阱层以及N型层的第一区域以使堆叠形成倒置棱台结构包括： 

在所述P型层之上形成金属Ni层，并在所述金属Ni层之上涂光刻胶； 

湿法腐蚀所述金属Ni层以形成底表面积小于顶表面积的Ni保护层； 

沿着所述Ni保护层侧壁方向，干法刻蚀所述P型层、多量子阱层以及N型层的第一区域；以及 

去除所述Ni保护层。