[发明专利]应用于非易失性存储器的一位存储单元及其相关控制方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器，具有一第一一位存储单元形成于一基板上，该第一一位存储单元包括：

一第一位线；以及

N个储存单元，每一该储存单元包括：一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一第三掺杂区依序形成于该基板的一表面上，该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的一第一通道区上方具有一第一栅极结构，该第二掺杂区与该第三掺杂区之间的一第二通道区上方具有一第二栅极结构；

其中，该N个储存单元中的一第一储存单元的该第一掺杂区连接至该第一位线，该第一栅极结构连接至一第一控制信号线，该第二栅极结构连接至一第一反熔丝信号线；以及，该N个储存单元中的一第m储存单元中的该第一掺杂区连接至一第(m-1)储存单元中的该第三掺杂区，该第一栅极结构连接至一第m控制信号线，该第二栅极结构连接至一第m反熔丝信号线，且m为大于等于二且小于等于N的整数。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中该非易失性存储器具有一第二一位存储单元，该第二一位存储单元包括：一第二位线；以及，N个储存单元，每一该储存单元包括：该第一掺杂区、该第二掺杂区以及该第三掺杂区依序形成于该基板的该表面上，该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的该第一通道区上方具有该第一栅极结构，该第二掺杂区与该第三掺杂区之间的该第二通道区上方具有该第二栅极结构；其中，该N个储存单元中的该第一储存单元的该第一掺杂区连接至该第二位线，该第一栅极结构连接至该第一控制信号线，该第二栅极结构连接至该第一反熔丝信号线；以及，该N个储存单元中的该第m储存单元中的该第一掺杂区连接至该第(m-1)储存单元中的该第三掺杂区，该第一栅极结构连接至该第m控制信号线，该第二栅极结构连接至该第m反熔丝信号线。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中该第一一位存储单元包括一第(N+1)储存单元，该第(N+1)储存单元包括：该第一掺杂区、该第二掺杂区以及一隔离结构依序形成于该基板的该表面上，该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的该第一通道区上方具有该第一栅极结构，该第二掺杂区与隔离结构之间的一第三通道区域上方具有该第二栅极结构；其中，该第一栅极结构连接至一第(N+1)控制信号线，该第二栅极结构连接至一第(N+1)反熔丝信号线；其中，该第一掺杂区连接至该第N储存单元中的该第三掺杂区。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中每一该储存单元中的该第一栅极结构包括一第一栅极氧化层以及一第一栅极层：该第二栅极结构包括一第二栅极氧化层以及一第二栅极层；其中，该第一栅极氧化层的厚度大于该第二栅极氧化层的厚度。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中该基板为一p型基板，该第一掺杂区、该第二掺杂区与该第三掺杂区皆为n型掺杂区。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中将一闭路状态记录于一第y存储单元时，将一编程电压提供至该第一位线，将一破坏电压提供至一第y反熔丝信号线，将一开启电压提供至该第一控制信号线至一第y控制信号线以及该第一反熔丝信号线至一第(y-1)反熔丝信号线，将一关闭电压提供至一第(y+1)控制信号线至一第N控制信号线以及一第(y+1)反熔丝信号线至一第N反熔丝信号线，其中，y为大于一且小于N的整数。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中将一开路状态记录于一第y存储单元时，将一未编程电压提供至该第一位线，将一破坏电压提供至一第y反熔丝信号线，将一开启电压提供至该第一控制信号线至一第y控制信号线以及该第一反熔丝信号线至一第(y-1)反熔丝信号线，将一关闭电压提供至一第(y+1)控制信号线至一第N控制信号线以及一第(y+1)反熔丝信号线至一第N反熔丝信号线，其中，y为大于1且小于N的整数。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中于读取该第一一位存储单元时，将一位线读取电压提供至该第一位线，将一第一读取控制电压提供至该第一控制信号线至一第y控制信号线以及将一第二读取控制电压提供至该第一反熔丝信号线至一第y反熔丝信号线，将一关闭电压提供至一第(y+1)控制信号线至一第N控制信号线以及一第(y+1)反熔丝信号线至一第N反熔丝信号线，使得该第一位线产生一读取电流以读取一第y存储单元的一储存状态，其中，y为大于1且小于N的整数。