[发明专利]鳍轮廓结构及其制造方法

权利要求书

1.一种FinFET器件，包括：

第一半导体鳍，位于半导体衬底上方，其中，所述第一半导体鳍包括：

第一上部，具有第一宽度；以及

第一下部，位于所述第一上部下方，所述第一下部具有第二宽度，

所述第二宽度大于所述第一宽度；以及

第二半导体鳍，位于所述半导体衬底上方，其中，所述第二半导体鳍与所述第一半导体鳍横向相邻，所述第二半导体鳍包括：

第二上部，具有第三宽度；以及

第二下部，位于所述第二上部下方，所述第二下部具有第四宽度，

所述第四宽度大于所述第三宽度，并且所述第四宽度小于所述第二宽度。

2.根据权利要求1所述的FinFET器件，其中，所述第一上部还包括第一内侧壁和第一外侧壁，所述第一内侧壁和所述第一外侧壁与所述半导体衬底的顶面正交，并且所述第一下部还包括具有第一斜率的第二内侧壁和具有第二斜率的第二外侧壁，所述第二斜率小于所述第一斜率，并且所述第二内侧壁和所述第二外侧壁与所述半导体衬底的顶面非正交。

3.根据权利要求2所述的FinFET器件，其中，所述第一斜率为恒定斜率，且所述第二斜率为恒定斜率。

4.根据权利要求2所述的FinFET器件，其中，所述第一斜率为恒定斜率，而所述第二斜率为非恒定斜率。

5.根据权利要求2所述的FinFET器件，其中，所述第一宽度大于所述第三宽度。

6.根据权利要求1所述的FinFET器件，其中，所述第一宽度大于所述第三宽度，并且所述第一上部还包括第一内侧壁和第一外侧壁，所述第一内侧壁和所述第一外侧壁与所述半导体衬底的顶面正交，并且所述第一下部还包括第二内侧壁和第二外侧壁，所述第二内侧壁与所述半导体衬底的顶面非正交，所述第二外侧壁与所述半导体衬底的顶面正交，并且所述第二外侧壁与所述第一外侧壁对准。

7.根据权利要求1所述的FinFET器件，其中，所述第一上部还包括第一内侧壁和第一外侧壁，所述第一内侧壁和所述第一外侧壁与所述半导体衬底的顶面正交，所述第一下部还包括第二内侧壁和第二外侧壁，所述第二内侧壁与所述半导体衬底的顶面非正交，所述第二外侧壁与所述半导体衬底的顶面正交，所述第二外侧壁在与所述第二内侧壁相对的方向上与所述第一外侧壁横向隔开。

8.一种FinFET器件，包括：

第一半导体鳍，位于半导体衬底上方，所述第一半导体鳍包括：

第一上分段，具有第一内侧和第一外侧，所述第一内侧和所述第一外侧由第一宽度隔开，并且所述第一内侧和所述第一外侧与所述半导体衬底的顶面正交；以及

第一下分段，具有第二内侧和第二外侧，所述第二内侧具有第一斜率，所述第二外侧具有第二斜率，所述第一斜率大于所述第二斜率，所述第二内侧和所述第二外侧在所述第一下分段的顶部区域由第二宽度隔开，所述第二内侧和所述第二外侧在所述第一下分段的底部区域由第三宽度隔开，所述第三宽度大于所述第二宽度，并且所述第三宽度大于所述第一宽度；

第二半导体鳍，位于所述半导体衬底上方，所述第二半导体鳍包括：

第二上分段，具有第三内侧和第三外侧，所述第三外侧是与所述第一内侧最近的一侧，所述第三内侧和所述第三外侧由第四宽度隔开，并且所述第三内侧和所述第三外侧与所述半导体衬底的顶面正交；以及

第二下分段，具有第四内侧和第四外侧，所述第四内侧和所述第四外侧具有第三斜率，所述第四内侧和所述第四外侧在所述第二下分段的顶部区域由第五宽度隔开，所述第四内侧和所述第四外侧在所述第二下分段的底部区域由第六宽度隔开，所述第六宽度大于所述第五宽度，所述第六宽度大于所述第四宽度，并且所述第六宽度小于所述第三宽度；

栅极电介质，位于所述第一半导体鳍的所述第一外侧、第一顶面和所述第一内侧上方，并且所述栅极电介质位于所述第二半导体鳍的所述第三外侧、第二顶面和所述第三内侧上方；以及

栅电极，位于所述栅极电介质上方。