[发明专利]电磁屏蔽结构

说明书

技术领域

本发明涉及射频领域，特别涉及一种电磁屏蔽结构。

背景技术

在射频技术领域，金属导线的宽度常处于毫米、微米量级，而微波波长也为毫米、微米量级。由于金属导线的宽度和微波波长相当，电磁干扰成为射频技术领域中的一个重要问题。

在低温共烧陶瓷工艺中，金属导线分布于多层介质上，有时需要不同介质层上的金属导线通过垂直耦合传递电磁能量。但有时又应避免不同介质层上的金属导线产生垂直耦合，否则会产生电磁干扰。

发明内容

本发明提出一种电磁屏蔽结构，解决了现有技术中呈垂直分布的金属导线之间易产生电磁干扰的问题。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种电磁屏蔽结构，包括顶层金属地和底层金属地；电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层位于所述顶层金属地与所述底层金属地之间，所述电磁屏蔽层为金属层，且所述电磁屏蔽层上开有耦合窗口；上层耦合金属导线和下层耦合金属导线，所述上层耦合金属导线和所述下层耦合金属导线关于所述耦合窗口呈上下对称分布；以及上通孔和下通孔，所述上通孔和所述下通孔的一端分别连接至所述上层耦合金属导线和所述下层耦合金属导线，所述上通孔和所述下通孔的另一端分别连接至顶层金属地和底层金属地。

可选地，所述电磁屏蔽结构还包括第一通孔以及通孔隔离窗口，所述第一通孔穿过所述通孔隔离窗口。

可选地，所述第一通孔连接于顶层金属地与底层金属地之间。

可选地，所述电磁屏蔽层上的金属为铜。

可选地，所述耦合窗口和所述通孔隔离窗口为同一窗口。

本发明的有益效果是：可在实现某些金属导线的垂直耦合的同时，避免其它金属导线之间产生电磁干扰。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一种电磁屏蔽结构一个实施例的立体结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明一种电磁屏蔽结构一个实施例的立体结构示意图。如图1所示，电磁屏蔽结构1包括金属地2和2′以及电磁屏蔽层3。电磁屏蔽层3为金属层，在电磁屏蔽层3上开有耦合窗口4以及通孔隔离窗口5。电磁屏蔽结构1还包括耦合金属导线6和6′，耦合金属导线6和6′关于耦合窗口4呈上下对称分布。电磁屏蔽结构1还包括通孔7和7′，通孔7和7′的一端分别连接至耦合金属导线6和6′，通孔7和7′的另一端分别连接至金属地2和2′。金属地2和2′之间连接有通孔7″，通孔7″穿过通孔隔离窗口5。

由于电磁屏蔽层3上开有耦合窗口4，且耦合金属导线6和6′关于耦合窗口4呈上下对称分布。因此，耦合金属导线6和6′可实现垂直耦合。而当电磁屏蔽层3其余部分的两侧分布有其它金属导线时，由于电磁屏蔽层3其余部分为金属，可隔离金属导线，防止其产生垂直耦合，从而避免产生电磁干扰。

本技术领域的技术人员应当理解，在图3所示实施例中，电磁屏蔽结构1包括通孔7″，通孔7″穿过通孔隔离窗口5，然而，本技术领域的技术人员应当理解，电磁屏蔽结构1也可不包括通孔7″，相应地，电磁屏蔽层3上不具有通孔隔离窗口5。另外，图3所示实施例中，通孔7″连接于金属地2和2′之间，在其它实施例中，通孔7″也可连接于金属导线之间或金属导线与金属地之间。

在一个实施例中，耦合窗口4和通孔隔离窗口5为同一窗口。

在另一实施例中，电磁屏蔽层上刻蚀的金属为铜。

利用本发明提出的电磁屏蔽结构，在实现某些金属导线的垂直耦合的同时，避免其它金属导线之间产生电磁干扰。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。