[发明专利]一种半导体器件中粘附力检测结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件中粘附力检测结构的形成方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次沉积第一氧化物层和金属材料层；

图案化部分所述金属材料层，以在所述金属材料层上形成第一槽口；

在所述金属材料层和所述第一槽口上沉积蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上沉积第二氧化物层；

在所述第二氧化物层上形成支撑衬底；

从背面蚀刻所述半导体衬底、第一氧化物层和金属材料层，以形成第二槽口，同时露出所述第一槽口中的蚀刻停止层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支撑衬底为高韧性的增韧玻璃纤维材料层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支撑衬底和所述第二氧化物层之间还形成有粘结胶层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在沉积所述第一氧化物层和所述金属材料层后，执行平坦化的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述支撑衬底之后还包括烘焙的步骤。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属材料层包括Cu。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻停止层为NDC材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为Si衬底。

9.一种半导体器件中粘附力检测结构，包括：

半导体衬底；

位于所述衬底上的第一氧化物层、金属材料层、蚀刻停止层和支撑衬底；

其中，所述衬底、所述第一氧化物层、所述金属材料层的背面具有槽口，部分所述槽口中嵌有凸出的所述蚀刻停止层。

10.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，所述支撑衬底为高韧性的增韧玻璃纤维材料层。

11.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，所述支撑衬底和所述第二氧化物层之间还形成有粘结胶层。

12.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，所述金属材料层包括Cu。

13.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，所述蚀刻停止层为NDC材料。

14.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，所述半导体衬底为Si衬底。