[发明专利]一种化学机械抛光液及其应用无效

专利信息
申请号: 201210567934.4 申请日: 2012-12-24
公开(公告)号: CN103897600A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 荆建芬;张建;蔡鑫元 申请(专利权)人: 安集微电子(上海)有限公司
主分类号: C09G1/02 分类号: C09G1/02;H01L21/321;H01L21/311
代理公司: 上海翰鸿律师事务所 31246 代理人: 李佳铭
地址: 201203 上海市浦东新区张*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 化学 机械抛光 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种化学机械抛光液,其特征在于,包括研磨颗粒、络合剂、腐蚀抑制剂以及氧化剂。

2.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的研磨颗粒为二氧化硅、二氧化铈、三氧化二铝、掺杂铝或覆盖铝的二氧化硅、二氧化钛和/或高分子研磨颗粒。

3.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的研磨颗粒的浓度为质量百分比3~30%。

4.如权利要求3所述的抛光液,其特征在于,所述的研磨颗粒的浓度为质量百分比5~20%。

5.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的研磨颗粒的粒径为20~250nm。

6.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的络合剂选自氨羧化合物及其盐、有机酸及其盐、有机膦酸及其盐、有机胺中的一种或多种。

7.如权利要求7所述的抛光液,其特征在于,所述的氨羧化合物选自甘氨酸、丙氨酸、缬氨酸、亮氨酸、脯氨酸、苯丙氨酸、酪氨酸、色氨酸、赖氨酸、精氨酸、组氨酸、丝氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、天冬酰胺、谷氨酰胺、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、环己二胺四乙酸、乙二胺二琥珀酸、二乙烯三胺五乙酸和三乙烯四胺六乙酸中的一种或多种;所述的有机羧酸为醋酸、草酸、柠檬酸、酒石酸、丙二酸、丁二酸、苹果酸、乳酸、没食子酸和磺基水杨酸中的一种或多种;所述有机膦酸选自2-膦酸丁烷-1,2,4-三羧酸、氨基三亚甲基膦酸、羟基亚乙基二膦酸、乙二胺四亚甲基膦酸、二乙烯三胺五亚甲基膦酸、有机膦磺酸和2-羟基膦酰基乙酸中的一种或多种,所述有机胺选自乙二胺、二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、三乙烯四胺和四乙烯五胺中的一种或多种。

8.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的络合剂的含量为质量百分比0.01~5%。

9.如权利要求8所述的抛光液,其特征在于,所述的络合剂的含量为质量百分比0.1~1%。

10.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的腐蚀抑制剂为唑类化合物。

11.如权利要求11所述的抛光液,其特征在于,所述的唑类化合物选自苯并三氮唑、5-甲基苯并三氮唑、5-羧基苯并三氮唑、1-羟基-苯并三氮唑、1,2,4-三氮唑、3-氨基-1,2,4-三氮唑、4-氨基-1,2,4-三氮唑、3,5-二氨基-1,2,4-三氮唑、5-羧基-3-氨基-1,2,4-三氮唑、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑、5-乙酸-1H-四氮唑、5-甲基四氮唑、5-苯基四氮唑、5-氨基-1H-四氮唑和1-苯基-5-巯基-四氮唑中的一种或多种。

12.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的腐蚀抑制剂含量为质量百分比0.005~1%。

13.如权利要求12所述的抛光液,其特征在于,所述的腐蚀抑制剂含量为质量百分比0.005~0.5%。

14.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的氧化剂选自过氧化氢、过氧化脲、过氧甲酸、过氧乙酸、过硫酸盐、过碳酸盐、高碘酸、高氯酸、高硼酸、高锰酸钾和硝酸铁中的一种或多种。

15.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的氧化剂含量为质量百分比0.05~5%。

16.如权利要求15所述的抛光液,其特征在于,所述的氧化剂含量为0.05~2wt%。

17.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述抛光液的pH值为8~12。

18.一种如权利要求1-17任一项所述的抛光液在硅通孔抛光中的应用。

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