[发明专利]有机发光二极管装置以及制造该装置的方法

说明书

技术领域

本说明书涉及有机发光二极管（OLED）装置，具体而言，涉及能够防止外部潮湿/氧气等渗入的OLED装置，以及制造该装置的方法。

背景技术

虽然阴极射线管（CRT）显示装置已广泛用作为显示装置，但平板显示（FPD）装置，例如等离子显示平板（PDP）装置，液晶显示（LCD）装置，可被称作为有机电致发光显示（OELD）装置的有机发光二级管（OLED）装置，等等，已成为近年来研究和开发的对象，作为CRT的替代品。

这当中，OLED装置作为自发光装置，由于省略了在作为不发光装置的LCD装置中所使用的背光单元，从而具有重量轻和外形薄的优点。

OLED装置具有优于LCD装置的视角和对比度，并在功耗方面具有优势，从而以直流（DC）低电压来驱动。另外，OLED装置具有快捷的响应速度，依靠固体内部显示装置（solid internal display）而具有出色的抗外部冲击耐久力，并具有宽泛的工作温度范围。

特别的，OLED装置的制造过程简单，由此，制造OLED装置比制造传统的LCD装置更为便宜。

表现出这些特征的OLED装置可分为无源矩阵类型和有源矩阵类型。在无源矩阵类型OLED装置中，信号线按矩阵方式彼此交叉。在有源矩阵类型OLED装置中，作为开关器件的薄膜晶体管（TFT）布置于各个像素，用以接通或关闭相应像素。

由于在分辨率、功耗、寿命等方面无源矩阵类型OLED装置存在不足，因此具有高分辨率和大屏幕优点的有源矩阵类型OLED已成为近年来研究和开发的对象。

针对上述特征，下文中将参考图1和2描述根据现有技术的OLED的结构。

图1是示意性示出根据现有技术的OLED的截面图。

图2是图1中“A”部分的放大截面图，其示出了现有技术OLED中作为面板边缘部分的非显示区域NA。

根据现有技术的OLED装置10，如图1和2中所示，包括具有开关TFT（未示出）、驱动TFT（未示出）以及有机发光二极管（OLED）（未示出）的第一基板11，和面对且封装所述第一基板11的第二基板41。第一基板11和第二基板41彼此间隔开，并利用位于第一基板11和第二基板41边缘部分处的密封图案47彼此贴合。

这里，在第一基板11的显示区域AA上形成有在每个像素区域（未示出）边界上彼此交叉的栅极线（未示出）和数据线（未示出），并且可以形成与栅极线或数据线串联的电源线（未示出）。

每个像素区域均设有开关TFT和驱动TFT。

在第一基板11的显示区域AA内的每个像素区域上形成有半导体层13，所述半导体层13与驱动区域（未示出）和开关区域（未示出）相对应。半导体层13由硅制成。半导体层13包括有源区域13a以及源极区域13b和漏极区域13c，所述有源区域13a设置在其中央位置以用于形成沟道区域，所述源极区域13b和漏极区域13c形成在有源区域13a的两侧并且上面掺杂有高水平的杂质。

在包括有半导体层13的第一基板11上形成有栅极绝缘层15。

在显示区域AA内的每个像素区域上，形成有面对所述半导体层13的有源区域13a的栅极电极17和连接到栅极电极17的栅极线（未示出）。

并且，在具有栅极电极17和栅极线的栅极绝缘层15上形成有第一夹层绝缘层19。这里，夹层绝缘层19以及其下面的栅极绝缘层15各自包括第一和第二半导体接触孔（未示出），从而使位于有源区域13a两侧的源极区域13b和漏极区域13c暴露。

在每个像素内具有第一和第二半导体接触孔的第一夹层绝缘层19上，形成有源极电极21和漏极电极23。源极电极21和漏极电极23彼此分隔设置，并与源极区域13b和漏极区域13c接触，所述源极区域13b和漏极区域13c通过第一和第二半导体接触孔而暴露。

此外，在每个像素区域P内，在第一夹层绝缘层19上形成有第二夹层绝缘层25，所述第一夹层绝缘层25在源极电极21与漏极电极23之间暴露。第二夹层绝缘层25包括漏极接触孔（未示出），用于使漏极电极23通过该接触孔暴露。

这里，源极电极21和漏极电极23、具有与所述电极21和23相接触的源极区域13b和漏极区域13c的半导体层13、以及均形成在半导体层13上的栅极绝缘层15和栅极电极17，构成驱动TFT（未示出）。

虽然并未示出，但开关TFT（未示出）具有与驱动TFT相同的结构，并与驱动TFT连接。

第一电极27，有机发光层31和第二电极33按顺序地形成在第二夹层绝缘层25处实际显示图像的区域上。