[发明专利]改善套刻精度面内均匀性的方法有效
| 申请号： | 201210567590.7 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103901729A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 孟鸿林;郭晓波;刘尧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 精度 均匀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.改善套刻精度面内均匀性的方法，其特征在于，在离子注入工艺之后，用激光退火工艺推阱，然后再在氧化层生长后，多晶硅生长前，进行有选择的激光退火工艺。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用于推阱的激光退火工艺所用的能量密度为0.5～500mj/cm2，X重叠率为1%～100%，脉冲延时为0.01～10μs，光斑大小在0.1mm×0.1mm～6mm×6mm之间。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有选择的激光退火工艺，根据多晶硅生长后的套刻精度实测数据确定激光曝光的位置和条件。
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