[发明专利]超高频RFID标签芯片的通话盘存标记产生系统

权利要求书

1.一种超高频RFID标签芯片的通话盘存标记产生系统，其特征在于，包括上电判断电路、盘存标记产生电路、二选一电路、数字控制电路；

当标签芯片的整流器输出电压高于标签芯片的其他电路开始工作所需要的最低值，则判断为标签芯片上电；

如果本次标签芯片上电同前一次标签芯片上电的时间间隔小于设定时间，则本次标签芯片上电后所述上电判断电路的输出为1状态信号，如果本次标签芯片上电同前一次标签芯片上电的时间间隔大于等于设定时间，则本次标签芯片上电后所述上电判断电路的输出为0状态信号；

所述二选一电路，当所述上电判断电路输出0状态信号，则选择将随机状态信号输出到所述盘存标记产生电路，当所述上电判断电路输出1状态信号，则选择将所述数字控制电路输出的状态信号输出到所述盘存标记产生电路；

所述盘存标记产生电路，根据所述二选一电路的输出的两种状态信号1或0，相应输出两种盘存标记状态值A或B，如果所述二选一电路输出1状态信号，所述盘存标记产生电路输出盘存标记状态值A，如果所述二选一电路输出0状态信号，所述盘存标记产生电路输出盘存标记状态值B；

所述数字控制电路，用于在本次标签芯片上电时保持输出与前一次标签芯片上电时所述盘存标记产生电路最后输出的盘存标记状态值相对应的状态信号；如果前一次标签芯片上电时所述盘存标记产生电路最后输出的盘存标记状态值为A，则所述数字控制电路保持输出1状态信号，如果前一次标签芯片上电时所述盘存标记产生电路最后输出的盘存标记状态值为B，则所述数字控制电路保持输出0状态信号。

2.根据权利要求1所述的超高频RFID标签芯片的通话盘存标记产生系统，其特征在于，

所述上电判断电路，包括充电保持电路、断电指示电路、第一比较器；

当标签芯片的整流器输出电压上升时，所述断电指示电路输出电压跟随整流器输出电压上升；当标签芯片的整流器输出电压下降并且大于第三参考电压时，所述断电指示电路输出电压跟随整流器输出电压下降；当标签芯片的整流器输出电压下降并且小于等于第三参考电压时，所述断电指示电路输出电压为0V，第三参考电压大于0V；

所述充电保持电路，包括第一电阻、第一电容、第二电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管；

所述第一电阻接在所述断电指示电路的输出端同第一PMOS管的漏极之间，

第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极、第一NMOS管的漏极相连；

第二PMOS管的漏极及栅极接充电保持电路输出端；

第一NMOS管的栅极接所述断电指示电路的输出端，源极接地；

所述第一电容接在所述第一PMOS管的漏极同地之间；

所述第二电容接在所述充电保持电路输出端同地之间；

所述第一比较器的正端接所述充电保持电路输出端，负端接第一参考电压；

所述第一比较器的输出作为所述上电判断电路的输出。

3.根据权利要求1所述的超高频RFID标签芯片的通话盘存标记产生系统，其特征在于，

所述盘存标记产生电路，包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管、第三电容、第二比较器；

所述第三PMOS管、第三NMOS管的栅极用于接所述二选一电路输出的状态信号；

所述第三PMOS管的源极接标签芯片的整流器输出电压，漏极接第四PMOS管的源极；

所述第四PMOS管的漏、栅短接，并接第三NMOS管的漏极；

所述第二比较器的正端接第三NMOS管的漏极；

第三NMOS管的源极接地；

第三电容接在所述第二比较器的正端同地之间；

所述第二比较器的负端接第二参考电压；

所述第二比较器的输出作为所述盘存标记产生电路的输出。