[发明专利]高性能调幅无线话筒

说明书

技术领域

本发明属于电子技术与无线电通信技术领域，是关于一种高性能调幅无线话筒。

背景技术

调频类型无线话筒的电路很多，而社会上拥有量最多的是调幅收音机，这给推广使用调幅波无线话筒提供了很大的方便。本发明电路中的振荡器具有调制特性好，能够产生频率比较集中的调幅信号，这样的信号比用其它方法调制出的无线电信号保真度要高得很多。

调幅波无线话筒在会议、音乐教学等场合上可发挥很大作用。它把声音信号变为调幅无线电信号发射出来，由普通调幅收音机接收后，再将调幅波还原成声音信号播放出来。本发明振荡频率稳定不易跑频、发射半径大于11m。该调幅无线话筒无需外接天线，大大方便了日常使用。

以下详细说明本发明所述的高性能调幅无线话筒在实施过程中所涉及的相关技术内容。

发明内容

发明目的及有益效果：现在社会上拥有量最多的是调幅收音机，这给推广使用调幅波无线话筒提供了很大的方便。本发明电路中的振荡器具有调制特性好，能产生频率比较集中的调幅信号，这样的信号比用其它方法调制出的无线电信号保真度要高得多。

调幅波无线话筒在会议、音乐教学等场合上可发挥很大作用。它把声音信号变为调幅无线电信号发射出来，由普通调幅收音机接收后，再将调幅波还原成声音信号播放出来。本发明振荡频率稳定不易跑频、发射半径大于11m，不会干扰附近的收音机，该无线话筒在使用时无需外接天线。

技术特征：高性能调幅无线话筒，它包括9V直流电源、拾音电路、一级音频放大电路、二级音频放大电路、调幅波振荡及发射电路，其特征在于：

拾音电路：它由驻极体话筒MIC和电容C1组成，驻极体话筒MIC中的场效应管漏极D接电容C1的一端，驻极体话筒MIC的金属外壳与驻极体话筒MIC中的场效应管源极S及电路地GND相连；

一级音频放大电路：它由NPN型三极管VT1、电阻R1、电阻R2、电解电容C3组成，NPN型三极管VT1的基极接电容C1的另一端，NPN型三极管VT1的集电极接电阻R1的一端和电容C2的一端，电阻R1的另一端接9V直流电源正极VCC，NPN型三极管VT1的发射极接电阻R2的一端和电解电容C3的正极，电阻R2的另一端和电解电容C3的负极接电路地GND；

二级音频放大电路：它由NPN型三极管VT2、电阻R3、电阻R4、电阻R5组成，NPN型三极管VT2的基极接电容C2的另一端、电阻R3的一端和电阻R4的一端，电阻R3的另一端接9V直流电源正极VCC，电阻R4的另一端接电路地GND，NPN型三极管VT2的发射极通过电阻R5接电路地GND；

调幅波振荡及发射电路：它由NPN型三极管VT3、电阻R6、电阻R7和电容C4、可变电容CP和高频振荡线圈L1组成，NPN型三极管VT3的基极接电阻R6的一端、电阻R7的一端和电容C4的一端，电阻R6的另一端接9V直流电源正极VCC，电阻R7的另一端和电容C4的另一端与电路地GND相连，NPN型三极管VT3的集电极接可变电容CP的一端和高频振荡线圈L1的一端，可变电容CP的另一端和高频振荡线圈L1的另一端接9V直流电源正极VCC，NPN型三极管VT3的发射极接NPN型三极管VT2的集电极。

电路工作原理：驻极体话筒MIC将声音信号转变成为音频电流，从驻极体话筒MIC输出的音频信号直接推动NPN型三极管VT1。在音频放大电路中NPN型三极管VT2的发射极接有负反馈回路，NPN型三极管VT2也是作为电流源电路的一部分。由NPN型三极管VT3组成射频振荡器，这种射频振荡器有许多优点，高频振荡线圈L1不再需要抽头，使得电路制作简单、调试方便。

附图说明

附图1是本发明提供一个高性能调幅无线话筒的实施例电路工作原理图。

具体实施方式

按照附图1所示高性能调幅无线话筒的电路工作原理图和附图说明，并且按照实施例所述的元器件技术要求进行实施即可实现本发明。

元器件的选择及其技术参数

MIC为驻极体话筒，驻极体话筒MIC应选用两端输出式的话筒，有利于提高输出信号的电压增益和抗干扰性，其中场效应管的漏极D为音频信号输出端，驻极体话筒的金属外壳与场效应管的源极S相连后接电路地GND，驻极体话筒灵敏度越高其效果越好，可选用CM-18W型驻极体话筒MIC，其灵敏度分为五挡：红色为-66dB，小黄为-62dB，大黄为-58dB，兰色为-54dB，白色大于-52dB，本实施例选用白色点产品；