[发明专利]发光二极管封装

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管封装，并且更具体地涉及不仅实现简化的电路结构、而且实现高的颜色再现性的发光二极管封装。

背景技术

随着信息时代的发展，针对显示设备的需求逐渐增加。相应地，在近些年中，诸如液晶显示器（LCD）、等离子体显示器（PDP）、电致发光显示器（ELD）和有机发光设备（OLED）的各种平板显示设备已经得到应用。

在前述显示设备中，液晶显示设备通过使用电场来调整液晶的透光率而显示图像。为此，液晶显示设备包括了在薄膜晶体管基板和滤色器基板之间设置液晶单元的液晶显示面板、向液晶显示面板照射光的背光单元、和驱动背光单元和液晶单元的驱动电路。

如上所述的液晶显示设备不是自照明设备，并因此背光单元设置在液晶显示面板的下面。作为光源，背光单元使用例如发光二极管（LED）封装、冷阴极荧光灯（CCFL）、热阴极荧光灯（HCFL）和外部电极发光灯（EEFL）。

具体地说，发光二极管封装包括主体、在主体的凹进处安装的R、G和B发光二极管芯片、经由导线电连接到R、G和B发光二极管芯片的引线框、和覆盖R、G和B发光二极管芯片的树脂材料。

如上所述，发射白光的单个发光二极管封装包括发射红光的R发光二极管芯片、发射绿光的G发光二极管芯片和发射蓝光的B发光二极管芯片。当R、G和B发光二极管芯片安装在单个发光二极管封装中时，导线的数量相应地增加，并且对3个各自的发光二极管芯片施加不同电流的复杂的电路结构是必要的。而且，提供R、G和B发光二极管芯片造成成本增加。

为了解决上述问题，希望的是，发光二极管封装包括单个发光二极管芯片和覆盖发光二极管的多种荧光物质。该发光二极管封装经由从单个发光二极管芯片发射的单个波长的光和从多种荧光物质发射的光的组合而发射白光。在该情况下，尽管使用多种荧光物质的混合物，但荧光物质对在宽的发光波长范围内实现高的颜色再现性存在限制。

因此，存在着针对能够实现简化的电路结构和高的颜色再现性的发光二极管封装的需要。

发明内容

因此，本发明致力于一种发光二极管封装，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点所导致的一个或更多个问题。

本发明的目的是提供一种不仅可以实现简化的电路结构、而且实现高的颜色再现性的发光二极管封装。

本发明的其他优点、目的以及特征的一部分将在随后的说明中进行阐述，而一部分在由本领域普通技术人员研究了下面的内容后会变得清楚，或者可以通过实施本发明而获知。本发明的上述目的和其他优点可以由在说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构而实现并获得。

为了实现这些目的和其他优点，并且根据本文中所具体体现和广泛描述的发明宗旨，本发明提供一种发光二极管封装，其包括：封装主体；容纳在所述封装主体中的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；引线框，其电连接到所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，所述引线框用于根据所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的电流的比率来调整光的颜色；和光变换层，其配置为覆盖所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，所述光变换层用于将从所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片发射的光变换为特定波长的光以发射希望波长的光。

第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的每一个可以包括：基板；形成在基板上的缓冲层；形成在缓冲层上的N型氮化物半导体层；形成在N型氮化物半导体层上的多量子阱有源层；形成在有源层上的P型氮化物半导体层；连接到P型氮化物半导体层的P型电极；和连接到N型氮化物半导体层的N型电极。

引线框可以包括：凹进处，第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片安装在凹进处中；第一引线框，连接到第一发光二极管芯片的N型电极；第二引线框，连接到第一发光二极管芯片的P型电极；第三引线框，连接到第二发光二极管芯片的N型电极；和第四引线框，连接到第二发光二极管芯片的P型电极。

封装主体可以包括：侧壁，配置为包围第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；第一绝缘体，配置为将第一引线框和第二引线框彼此电绝缘；和第二绝缘体，配置为将第三引线框和第四引线框彼此电绝缘。

光变换层可以通过将多个荧光体和树脂混合而形成，并且荧光体可以包括球形或非典型的荧光体，荧光体发射峰值波长处于550nm到660nm的范围的特定单个波长或多个波长的可见光，并且吸收430nm到550nm的波长范围的光。

第一发光二极管芯片可以发射在400nm到460nm的波长范围的光，并可以具有10nm到50nm的半极大处全宽度（FWHM）。