[发明专利]波长变换装置以及利用了该波长变换装置的发光装置有效
| 申请号: | 201210567010.4 | 申请日: | 2012-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN103185295A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
| 发明(设计)人: | 中津嘉隆;杉山卓史 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号: | F21V9/10 | 分类号: | F21V9/10;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 波长 变换 装置 以及 利用 发光 | ||
1.一种波长变换装置,具备基板、和被设置在所述基板上的波长变换部件,其中,
所述波长变换部件具有荧光体粉末、和保持所述荧光体粉末的保持体,
所述波长变换部件的上表面是包含所述荧光体粉末的上表面和所述保持体的上表面在内的发光面,
在所述保持体的上表面,与所述荧光体粉末相邻地形成有第1凹部。
2.根据权利要求1所述的波长变换装置,其中,
所述荧光体粉末的上表面和所述保持体的上表面分别平坦、且位于同一平面上。
3.根据权利要求1所述的波长变换装置,其中,
所述荧光体粉末的上表面被设置得比所述保持体的上表面突出,
在所述波长变换部件的上表面形成有以所述保持体的上表面作为底面的第2凹部,
所述第1凹部形成于第2凹部的底面。
4.根据权利要求3所述的波长变换装置,其中,
所述荧光体粉末的上表面以及所述保持体的上表面分别平坦、且相互平行。
5.根据权利要求1所述的波长变换装置,其中,
所述波长变换部件的上表面被无反射涂敷。
6.根据权利要求5所述的波长变换装置,其中,
所述波长变换部件的上表面是发光面,并且是用于激发所述荧光体粉末的光所入射的入射面。
7.根据权利要求1所述的波长变换装置,其中,
在所述波长变换部件与所述基板之间具有反射部件。
8.根据权利要求1所述的波长变换装置,其中,
所述基板为陶瓷基板或金属基板。
9.一种发光装置,具备:
权利要求1~8任一项所述的波长变换装置;和
用于激发所述波长变换装置的荧光体粉末的光源。
10.根据权利要求9所述的发光装置,其中,
所述光源在440~480nm的范围内具有发光峰值,所述荧光体在500~540nm的范围内具有发光峰值。
11.一种波长变换装置的制造方法,具备:
通过混合并烧成原料粉末和助剂而获得荧光体粉末的工序;
在混合了原料之后进行烧成而获得波长变换部件的工序,所述原料包含所述荧光体粉末和保持该荧光体粉末的保持体的材料;
利用与所述助剂相应的蚀刻速率比与所述荧光体粉末以及所述保持体相应的蚀刻速率更高的蚀刻液,对所述波长变换部件的上表面进行蚀刻的蚀刻工序;和
将所述波长变换部件载置于基板上而获得波长变换装置的工序。
12.根据权利要求11所述的波长变换装置的制造方法,其中,
在所述蚀刻工序中包括对所述波长变换部件的上表面进行化学机械研磨处理的步骤。
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