[发明专利]一种烧结钕铁硼磁体及其制造方法

权利要求书

1.一种烧结钕铁硼磁体，其主要成分包括稀土元素R，添加元素T，铁Fe和硼B，拥有富稀土相和具有Nd₂Fe₁₄B晶体结构的主相，其特征在于：所述磁体的最大磁能积(BH)_max，单位MGOe，与内禀矫顽力H_cj，单位kOe的数值之和不小于76，即(BH)_max(MGOe)+H_cj(kOe)≥76，

所述磁体的氧含量为1000～1500ppm，

在20℃～180℃温度之间，其剩磁B_r的温度系数α_Br为-0.125％/℃～-0.090％/℃，

在20℃～180℃温度之间，其内禀矫顽力H_cj的温度系数β_Hcj为-0.50％/℃～-0.20％/℃，

所述磁体的成分包括：28～32wt％的稀土元素R，0～4wt％的添加元素T，0.93～1.0wt％的硼B，余量为铁Fe及微量杂质；

所述磁体成分中稀土元素R为Nd、Pr、Dy、Tb、Ho的一种或一种以上；添加元素T为Al、Cu、Co、Ga、Ti、V、Zr、Nb、Mo或Sn的一种或一种以上，

所述磁体主相的磁晶各向异性场H_a为80～140kOe，

所述磁体主相的平均晶粒尺寸为5.0～10.0μm。

2.一种如权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体，其特征在于：所述磁体的成分包括：稀土元素R包括：Nd+Pr：18～26wt％；Dy+Tb：2.0～13.5wt％；添加元素T包括：Al：0.1～0.6wt％；Cu：0～0.2wt％；Co：0～3wt％；Ga：0～0.2wt％；B：0.93～1.0wt％；余量为Fe和微量杂质。

3.一种制造如权利要求1或2所述的烧结钕铁硼磁体的方法，其特征在于：所述方法的工艺过程包括熔炼合金、制粉、混粉、压型、烧结和热处理工序。

4.一种如权利要求3所述的烧结钕铁硼磁体的制造方法，其特征在于：所述熔炼合金采用速凝薄片技术，合金薄片厚度范围为0.1～0.5mm，且合金薄片氧含量范围为40ppm至160ppm，

所述制粉为首先将速凝合金薄片采用氢破碎处理，且氢处理后的粉末中氢含量范围为500ppm至1600ppm，然后在以惰性气体或氮气为工作气体的气流磨中制成平均粒度为2.0～4.0μm的细粉，且所有细粉均为单晶颗粒，

所述混粉为在有气体保护的容器中，将在不同时段经气流磨制成的细粉进行混合获得均匀粉，混粉时加入占所混细粉总重量200～500ppm的润滑剂，

所述压型为将混粉后获得的均匀粉置于有气体保护的封闭压机中压制成毛坯，压型时对粉末施加的取向磁场为10kOe～30kOe，所压制成的毛坯存放于有气体保护的储存容器中，

所述烧结为将压制成的毛坯送入真空烧结炉内，并在真空或气体保护气氛中进行烧结，所述烧结温度为1055℃～1085℃；保温时间4～8小时；然后充入氩气，使烧结炉内冷却到100℃以下，

所述热处理为在所述烧结后在真空或气体保护气氛下进行两次回火处理；第一次回火为将真空烧内温度升至850℃～950℃，保温3～5小时，随后充入氩气使烧结炉内温度下降到100℃以下；第二次回火为将真空烧内温度升至450℃～650℃，保温3～5小时，然后向烧结炉内充入氩气，使烧结炉内温度下降到80℃以下。

5.一种如权利要求4所述的烧结钕铁硼磁体的制造方法，其特征在于：所述气体保护所使用的气体或气体保护气氛为氮气、惰性气体或惰性气体与氮气的混合气体。