[发明专利]改良西门子法生产多晶硅的废气淋洗处理工艺及设备

权利要求书

1.一种改良西门子法生产多晶硅的废气淋洗处理工艺及装置，其特征在于采用NaOH碱液为淋洗液对废气在淋洗塔塔体（18）内进行淋洗处理，去除从采用改良西门子法生产多晶硅工艺中排出废气中的氯硅烷或氯化氢有害成分，净化处理后的废气经过安全液封罐（22），废气达到国家排放标准后排放；净化处理后的废水落入每个淋洗塔（1）的淋洗液收集沟（2）中，淋洗液收集沟（2）收集的废水再集积到分流沟（15）中最后以自流方式流入渣水收集池（14），每个渣水收集池（14）上装有一台全自动上下一体行车式往返刮板机（4），渣水收集池（14）内通过全自动上下一体行车式往返刮板机（4）将废渣刮入或收集到搅拌池（8），随后搅拌池（8）内的废渣再输送到箱式压滤机进行固液分离，分离得到的固定干渣送渣场堆存，滤液回流到循环水池（11），供淋洗塔（1）再次使用。

2.根据权利要求1所述改良西门子法生产多晶硅的废气淋洗处理工艺及装置，其特征在于：所述的淋洗液PH值小于或等于8，所使用的NaOH浓度为10%-15%。

3.根据权利要求1所述改良西门子法生产多晶硅的废气淋洗处理工艺及装置，其特征在于：所述的淋洗处理是废气从淋洗塔塔体（18）底部的废气管进口（17）进入淋洗塔（1），经过碱液喷淋管道（19），螺旋喷头（20），捕沫器（21）三层NaOH淋洗液的净化处理。

4.根据权利要求3所述的改良西门子法生产多晶硅的废气淋洗处理工艺及装置，其特征在于：渣水收集池（14）一侧是回流沟（6），另一侧是分流沟（15）；渣水收集池（14）设置三道过滤网格栅，第一道过滤网格栅是从淋洗液收集沟（2）自流到分流沟（15），通过渣水收集池（14）的格栅进入水池，第二道过滤网是安装在渣水收集池（14）距离下部水面0.5米处与回流沟（6）相接处的格栅，第三层过滤网安装在回流沟内壁的4个回流沟格栅（9）。

渣水收集池（14）中部位置与回流沟（6）相接处，均匀开有三个出口，每个出口有一个过滤网（5），水经过镶嵌在渣水收集池（14）中部位置壁内的过滤网格栅回流沟自流入循环水池（11）。

5.根据权利要求4所述的改良西门子法生产多晶硅的废气淋洗处理工艺及装置，其特征在于：每个过滤网（5）宽1.2米×高0.8米，过滤网采用PVC板材料制作，过滤网的格栅规格为1400×1300穿孔子板。

6.根据权利要求3所述的改良西门子法生产多晶硅的废气淋洗处理工艺，其特征在于箱式压滤机由机架部分、过滤部分、液压系统和电气系统四大部分组成；机架部分是机器的主体，用于支撑过滤结构，连接其它部件，机架部分内装有由止推板、压紧板、油缸和主粱部件构成的板框组；过滤部分包括有滤板和滤布，先由液压系统施加压紧板框组，料浆由中间压入板框组，分布在板框组中的各滤板之间，借助进料泵产生的压力，料浆被装在滤板中的滤布过滤，由于滤布作用，固体留在滤室内形成滤饼，滤液由水嘴或明流排出，实现固、液分离的脱液方法。