[发明专利]具有可见光响应的石墨烯纳米带的制备方法无效
| 申请号： | 201210565983.4 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103011144A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 金彩虹;何丹农;刘睿;张金龙;邢明阳;杨小龙 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司;华东理工大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 可见光 响应 石墨 纳米 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有可见光响应的石墨烯纳米带的制备方法，其特征在于该方法的具体步骤为：将氧化石墨烯，分散于超纯水中，氧化石墨烯与水的质量百分比为0.025：100，超声分散至分散均匀后蒸干，在300℃下真空还原3小时，并再次分散于超纯水中超声分散10min～8小时，其中氧化石墨烯与水的质量百分比为0.003：100，经过水洗涤后，最后分散于超纯水中，得到石墨烯纳米带。
2.根据权利要求1所述的具有可见光响应的石墨烯纳米带的制备方法，其特征在于所述的石墨烯纳米带的尺寸大为：长100～400nm,宽20～80nm。
3.根据权利要求1所述的具有可见光响应的石墨烯纳米带的制备方法，其特征在于所得到的石墨烯纳米带表现出半导体的特性及更好的光学性质，在模拟太阳光照射下具有产生更强光电流的能力。
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