[发明专利]一种电迁移可靠性测试结构有效
申请号: | 201210564557.9 | 申请日: | 2012-12-24 |
公开(公告)号: | CN103035619B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 储佳 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/02 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 迁移 可靠性 测试 结构 | ||
1.一种电迁移可靠性测试结构,其特征在于,包括:
第一层金属线,其包括第一金属线,与所述第一金属线平行且相隔一定距离的第二金属线,垂直连接于所述第一金属线和所述第二金属线之间的第三金属线;所述第三金属线的一端连接所述第一金属线的一个端点,另一端连接所述第二金属线的一个端点;所述金属线之间填充有绝缘介质;以及第二层金属线,位于所述第一层金属线上方,通过金属通孔引出所述第一层金属线以进行可靠性测试。
2.根据权利要求1所述的电迁移可靠性测试结构,其特征在于,所述第一金属线与所述第三金属线连接的端点相对于所述第三金属线外侧的偏移量为-20nm至100nm,以所述第三金属线的内侧向外侧为正方向。
3.根据权利要求2所述的电迁移可靠性测试结构,其特征在于,所述第二金属线与所述第三金属线连接的端点相对于所述第三金属线内侧的偏移量为-20nm至100nm,以所述第三金属线的外侧向内侧为正方向。
4.根据权利要求1所述的电迁移可靠性测试结构,其特征在于,所述第三金属线的线宽为60nm至250nm。
5.根据权利要求1所述的电迁移可靠性测试结构,其特征在于,所述第三金属线的长度为100nm至700nm。
6.根据权利要求1所述的电迁移可靠性测试结构,其特征在于,所述第一金属线和/或所述第二金属线的线宽为大于等于300nm。
7.根据权利要求1所述的电迁移可靠性测试结构,其特征在于,所述第三金属线和所述第二金属线的数量为2,以所述第一金属线成中心对称分布。
8.一种电迁移可靠性测试结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
淀积绝缘介质层;
在所述绝缘介质层中形成第一层金属线;
以铜互连工艺在所述绝缘介质层上方形成金属通孔及第二层金属线,所述第二层金属线通过所述金属通孔将所述第一层金属线引出以进行电迁移可靠性测试;
其中,所述第一层金属线包括第一金属线,与所述第一金属线平行且相隔一定距离的第二金属线,垂直连接于所述第一金属线和所述第二金属线之间的第三金属线;所述第三金属线的一端连接所述第一金属线的一个端点,另一端连接所述第二金属线的一个端点。
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