[发明专利]一种多值阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种多值阻变存储器，其特征在于，包括位于衬底上的下电极，位于所述下电极上的中间层，以及位于所述中间层上的上电极，其中，所述中间层包括至少两层阻变层，相邻两阻变层之间通过中间电极层隔离，所述至少两层阻变层可在外加电压作用下依次由低阻态转变为高阻态。

2.根据权利要求1所述的多值阻变存储器，其特征在于，所述至少两层阻变层在外加电压作用下依次由低阻态转变为高阻态时，相邻两阻值之间的比值大于阈值。

3.根据权利要求2所述的多值阻变存储器，其特征在于，所述阈值为10。

4.根据权利要求2所述的多值阻变存储器，其特征在于，所述中间层包括三层阻变层。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的多值阻变存储器，其特征在于，所述下电极包括在所述衬底表面上平行排列的多条下电极条，所述上电极包括在所述阻变层表面上平行排列的多条上电极条。

6.根据权利要求5所述的多值阻变存储器，其特征在于，所述上电极条与所述下电极条呈十字交叉。

7.一种多值阻变存储器制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成下电极；

在所述下电极上形成中间层，所述中间层包括至少两层阻变层，相邻两阻变层之间通过中间电极层隔离，所述至少两层阻变层可在外加电压作用下依次由低阻态转变为高阻态；

在所述中间层上形成上电极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述至少两层阻变层在外加电压作用下依次由低阻态转变为高阻态时，相邻两阻值之间的比值大于阈值。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述下电极上形成中间层，包括：

在所述下电极上形成第一阻变层；

在所述第一阻变层上形成第一中间电极；

在所述第一中间电极上形成第二阻变层；

在所述第二阻变层上形成第二中间电极；

在所述第二中间电极上形成第三阻变层。

10.根据权利要求7至9中任意一项所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成下电极，包括：

在所述衬底表面上形成平行排列的多条下电极条。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在所述中间层上形成上电极，包括：

在所述中间层表面上形成平行排列的多条上电极条，且所述上电极条的延伸方向与所述下电极条的延伸方向交叉。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述上电极条与所述下电极条呈十字交叉。