[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：

阴极金属层；

形成在所述阴极金属层之上的重掺第一类型掺杂衬底层；

形成在所述重掺第一类型掺杂衬底层之上的轻掺第一类型掺杂外延层；

形成在所述轻掺第一类型掺杂外延层之上的阳极金属层，其中，所述轻掺第一类型掺杂外延层与所述阳极金属层的界面处形成了肖特基势垒区；以及

形成在所述肖特基势垒区和轻掺第一类型掺杂外延层之中的至少一个第二类型掺杂扩散区，其中，所述第二类型掺杂扩散区与所述阳极金属层形成欧姆接触，

其中，多个所述第二类型掺杂扩散区总面积小于所述肖特基势垒区面积的一半，并且相邻两个所述第二类型掺杂扩散区的间隔大于所述第二类型掺杂扩散区的宽度与深度之和。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，还包括：

形成在所述轻掺第一类型掺杂外延层的顶部表面的、且位于所述至少一个第二类型掺杂扩散区的外围的第二类型掺杂保护环。

3.如权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，还包括：

形成在所述第二类型掺杂保护环之上的边缘二氧化硅保护层。

4.如权利要求3所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二类型掺杂扩散区和所述第二类型掺杂保护环的掺杂浓度相等。

5.如权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二类型掺杂扩散区的掺杂原子为硼或磷，掺杂浓度为10¹⁴-10¹⁸原子/立方厘米。

6.如权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二类型掺杂扩散区的形状为正方形、圆形、六边形或八边形。

7.一种肖特基二极管的形成方法，其特征在于，包括：

A.提供重掺第一类型掺杂衬底层；

B.在所述重掺第一类型掺杂衬底层之上形成轻掺第一类型掺杂外延层；

C.在所述轻掺第一类型掺杂外延层的顶部形成至少一个第二类型掺杂扩散区；

D.在所述轻掺第一类型掺杂外延层和所述第二类型掺杂扩散区之上形成阳极金属层，

其中，所述轻掺第一类型掺杂外延层与所述阳极金属层的界面处形成了肖特基势垒区，所述第二类型掺杂扩散区与所述阳极金属层形成欧姆接触，其中，多个所述第二类型掺杂扩散区总面积小于所述肖特基势垒区面积的一半，并且相邻两个所述第二类型掺杂扩散区的间隔大于所述第二类型掺杂扩散区的宽度与深度之和；以及

E.在所述重掺第一类型掺杂衬底层的下表面形成阴极金属层。

8.如权利要求7所述的肖特基二极管的形成方法，其特征在于，在所述步骤C的同时，还包括：

在所述轻掺第一类型掺杂外延层的顶部表面、所述至少一个第二类型掺杂扩散区的外围形成第二类型掺杂保护环。

9.如权利要求8所述的肖特基二极管的形成方法，其特征在于，在所述步骤C的同时，还包括：

在所述第二类型掺杂保护环之上形成边缘二氧化硅保护层。

10.如权利要求9所述的肖特基二极管的形成方法，其特征在于，所述第二类型掺杂扩散区和所述第二类型掺杂保护环的掺杂浓度相等。

11.如权利要求10所述的肖特基二极管的形成方法，其特征在于，所述第二类型掺杂扩散区的掺杂原子为硼或磷，掺杂浓度为10¹⁴-10¹⁸原子/立方厘米。

12.如权利要求11所述的肖特基二极管的形成方法，其特征在于，所述第二类型掺杂扩散区的形状为正方形、圆形、六边形或八边形。