[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201210564241.X | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103178084A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 金禾景;韩敞旭;金度亨;崔晎硕;卓润兴;宋基旭;韩美荣;金智敏;吴惠玟 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括:
基板;
薄膜晶体管,其形成在所述基板上;
第一电极,其形成在所述薄膜晶体管上;
有机发射层,其包括第一叠层、第二叠层和电荷产生层,所述第一叠层包括形成在所述第一电极上以发出第一色光的第一发射层,所述第二叠层包括形成在所述第一电极上以发出第二色光的第二发射层,所述电荷产生层形成在所述第一叠层与所述第二叠层之间;以及
第二电极,其形成在所述有机发射层上,
其中,
相比根据有机发光装置的光学特性确定的发射光谱的第一色峰值波长,即第二峰值波长,根据所述第一发射层和所述第二发射层的掺杂剂特性确定的光致发光PL光谱的第一色峰值波长,即第一峰值波长,位于短波长区域内,并且
相比所述发射光谱的第二色峰值波长,即第四峰值波长,所述PL光谱的第二色峰值波长,即第三峰值波长,位于短波长区域或长波长区域内。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,
所述PL光谱的所述第一色峰值波长,即所述第一峰值波长,与所述发射光谱的所述第一色峰值波长,即所述第二峰值波长,之间的差异等于或小于10nm,并且
所述PL光谱的所述第二色峰值波长,即所述第三峰值波长,与所述发射光谱的所述第二色峰值波长,即所述第四峰值波长,之间的差异等于或小于±10nm。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,第一色为蓝色,第二色为黄绿色。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二发射层的掺杂剂浓度是主体的10%至25%。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二发射层的掺杂剂材料被选择为使得所述PL光谱的所述第二色峰值波长,即所述第三峰值波长,具有540nm至575nm的波长。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,CIE1931标准色度系统中的色坐标变化量Δu'v'在所述有机发光显示装置发出的光的0度至60度的视角方向上等于或小于0.02。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,该有机发光显示装置还包括保护层以及位于所述薄膜晶体管与所述第一电极之间的光补偿层。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,其中,所述光补偿层具有1.8至2.3的折射率。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,其中,所述光补偿层具有至的厚度。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述PL光谱的所述第二色峰值波长,即所述第三峰值波长,的半峰全宽等于或大于80nm。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置,其中,所述PL光谱的所述第二色峰值波长,即所述第三峰值波长,的峰值波长为540nm至575nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的