[发明专利]一种三维多芯片组件板间垂直过渡结构

权利要求书

1.一种三维多芯片组件板间垂直过渡结构，其特征在于，该结构包括环氧树脂制成的三维组件模块（1）、封装在所述三维组件模块（1）内的上层电路板（2）和下层电路板（3）、敷设在所述三维组件模块（1）表面的金属层（4）、在所述金属层（4）上刻蚀出的共面波导（5），所述上层电路板（2）平行设置于下层电路板（3）的上方，所述共面波导（5）竖向设置在三维组件模块（1）的侧面且垂直于上层电路板（2）和下层电路板（3）；

所述上层电路板（2）下侧设置有上层微带线地（21）、上侧设置有上层微带线导带（22），所述上层微带线地（21）一端设置有缺口（23），所述下层电路板（3）下侧设置有下层微带线地（31）、上侧设置有下层微带线导带（32），所述共面波导（5）包括位于三维组件模块（1）侧面的共面波导中心导带（51）和位于所述共面波导中心导带（51）两侧的共面波导地（52），所述共面波导地（52）与共面波导中心导带（51）之间由两条槽线隔开，共面波导中心导带（51）的下端与下层微带线导带（32）短接，上端与上层微带线导带（22）连接，并隔着缺口（23）与上层微带线地（21）的一端相对。

2.根据权利要求1所述的三维多芯片组件板间垂直过渡结构，其特征在于，所述共面波导地（52）分别与上层微带线地（21）和下层微带线地（31）连接。

3.根据权利要求1或2所述的三维多芯片组件板间垂直过渡结构，其特征在于，所述共面波导中心导带（51）的宽度比上层微带线导带（22）和下层微带线导带（32）的宽度都要大。

4.根据权利要求1所述的三维多芯片组件板间垂直过渡结构，其特征在于，所述共面波导中心导带（51）和共面波导地（52）上均刻蚀有无源电路。