[发明专利]商业化大管径CNT中半导体CNT的选择性分离方法及其应用

权利要求书

1. 一种商业化大管径CNT中半导体CNT的选择性分离方法，其特征在于，包括：

在温度≤0℃的条件下，将商业化大管径碳纳米管分散于含聚合物的有机溶液中，获得分散均一的碳纳米管溶液；

以及，对碳纳米管溶液进行离心处理，离心速度大于10000g，离心时间在30 min-120 min之间，分离出上层清液，获得富集的大管径半导体碳纳米管。

2. 根据权利要求1所述的商业化大管径CNT中半导体CNT的选择性分离方法，其特征在于，所述商业化大管径碳纳米管采用商业化大管径P2单壁碳纳米管。

3. 根据权利要求1所述的商业化大管径CNT中半导体CNT的选择性分离方法，其特征在于，所述碳纳米管溶液所含聚合物的浓度控制在0.0001-0.5 wt %。

4. 根据权利要求1或3所述的商业化大管径CNT中半导体CNT的选择性分离方法，其特征在于，所述聚合物包括聚噻吩衍生物、聚芴和/或聚芴衍生物、聚间苯乙炔衍生物中的任意一种或两种以上的组合。

5. 根据权利要求4所述的商业化大管径CNT中半导体CNT的选择性分离方法，其特征在于，

所述聚噻吩衍生物包括聚(3-十二烷基噻吩-2,5-二基)，所述聚芴和/或聚芴衍生物包括聚(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-并噻吩]、聚[(9,9-二己基芴基-2,7-二基)-co-(9,10-蒽)]、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-1,4-苯并-2,1,3-噻二唑]和聚[(2,7-9,9-二辛基芴基)-alt-4,7-双(噻吩-2-基)苯并-2,1,3-噻二唑] 中的任意一种或两种以上的组合, 所述聚间苯乙炔衍生物中包括聚[ (对苯乙炔)-alt-(2-甲氧基-5- (2-乙基己氧基)-对苯乙炔)]中的任意一种或两种以上的组合。

6. 根据权利要求1所述的商业化大管径CNT中半导体CNT的选择性分离方法，其特征在于，所述有机溶剂包括甲苯、邻二甲苯、对二甲苯和间二甲苯中的任意一种或两种以上的组合。

7. 根据权利要求1所述的商业化大管径CNT中半导体CNT的选择性分离方法，其特征在于，该方法中是在冰水浴环境中将商业化大管径碳纳米管分散于含聚合物的有机溶液，进而形成碳纳米管溶液的。

8. 应用权利要求1-7中任一项所述的方法构建半导体器件的方法，其特征在于，包括：

将富集大管径半导体碳纳米管的溶液施加至基材表面，构建半导体器件；

所述半导体器件包括碳纳米管薄膜晶体管器件或反相器。

9. 根据权利要求8所述的构建半导体器件的方法，其特征在于，该方法中是通过浸涂、滴涂、旋涂和喷墨打印方法中的任意一种或两种以上的组合将富集大管径半导体碳纳米管的溶液施加至基材表面；

其中，当采用喷墨打印方法时，所述富集大管径半导体碳纳米管的溶液中碳纳米管的浓度在0.0001-1 mg/mL之间。

10. 根据权利要求8所述的构建半导体器件的方法，其特征在于，它还包括：对构建的半导体器件进行退火处理，退火温度控制在200°C以下，退火时间控制在0.5-2 h。