[发明专利]LED晶粒、LED车灯及LED晶粒的制造方法

权利要求书

1.一种LED晶粒，包括一透明基板，依次形成于所述透明基板一侧表面的第一半导体层、活性层及第二半导体层，所述第一半导体层表面部分外露，所述LED晶粒还包括分别与第二半导体层表面和外露部分的第一半导体层表面电连接的电极结构，其特征在于：所述透明基板的另一侧表面形成具有凹面的光出射面。

2.如权利要求1所述的LED晶粒，其特征在于：所述凹面为非球面的弧面结构，所述透明基板为绝缘基板。

3.如权利要求1所述的LED晶粒，其特征在于：还包括一反射层，所述反射层位于所述第二半导体层表面上。

4.如权利要求3所述的LED晶粒，其特征在于：所述第一半导体层为N型层，所述第二半导体层为P型层，所述电极结构包括N电极和P电极，所述N电极设于所述外露部分的N型层表面上，所述P电极设于所述反射层上。

5.一种LED车灯，包括光源及投射透镜，所述光源与投射透镜相互间隔，所述光源包括一LED晶粒，其特征在于：所述LED晶粒为权利要求1至5项中任意一项所述LED晶粒，所述LED晶粒的光出射面朝向所述投射透镜。

6.如权利要求5所述的LED车灯，其特征在于：还包括位于光源与投射透镜之间的遮光部，所述遮光部将LED晶粒出射的光线进一步调整成预设光型。

7.一种LED晶粒的制造方法，包括步骤：

提供一预成型LED晶粒，包括透明基板，依次形成于所述透明基板一侧表面的第一半导体层、活性层、第二半导体层；

利用激光激发所述透明基板的另一侧表面形成具有凹面的光出射面；

蚀刻所述活性层和第二半导体层使第一半导体层的表面部分外露；及

在该第二半导体层表面和外露部分的第一半导体层表面分别设置相应电连接的电极结构。

8.如权利要求7所述的LED晶粒的制造方法，其特征在于：还包括在第二半导体层表面形成反射层的步骤，所述反射层通过等离子体增强化学气相沉积法蒸镀形成。

9.如权利要求8所述的LED晶粒的制造方法，其特征在于：所述第一半导体层为N型层，所述第二半导体层为P型层，所述电极结构包括N电极和P电极，将所述N电极设于所述外露部分的N型层表面，将所述P电极设于所述反射层上。

10.如权利要求7所述的LED晶粒的制造方法，其特征在于：所述凹面为非球面的弧面结构，所述透明基板为绝缘基板。