[发明专利]一种磁传感装置及其磁感应方法、制备工艺有效
| 申请号: | 201210563667.3 | 申请日: | 2012-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN103885004A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 磁感科技香港有限公司 |
| 主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
| 代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 王松 |
| 地址: | 中国香港湾仔告士打*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 传感 装置 及其 感应 方法 制备 工艺 | ||
1.一种磁传感装置,其特征在于,所述装置包括垂直方向磁传感部件,该垂直方向磁传感部件包括:
-基底,其表面开有沟槽;
-导磁单元,含有磁材料层,其主体部分设置于沟槽内,并有部分露出沟槽至基底表面,用以收集垂直方向的磁场信号,并将该磁场信号输出;
-感应单元,所述感应单元是感应与基底表面平行方向的磁传感器,设置于所述基底表面上,含有磁材料层,用以接收所述导磁单元输出的垂直方向的磁信号,并根据该磁信号测量出垂直方向对应的磁场强度及磁场方向;所述垂直方向为基底表面的垂直方向;
所述磁传感装置还包括第一磁传感器、第二磁传感器,分别用以感应与基底表面平行的第一方向、第二方向,第一方向、第二方向相互垂直。
2.一种磁传感装置,其特征在于,所述装置包括第三方向磁传感部件,该第三方向磁传感部件包括:
基底,其表面开有沟槽;
导磁单元,其主体部分设置于沟槽内,并有部分露出沟槽至基底表面,用以收集第三方向的磁场信号,并将该磁场信号输出;
感应单元,设置于所述基底表面上,用以接收所述导磁单元输出的第三方向的磁信号,并根据该磁信号测量出第三方向对应的磁场强度及磁场方向。
3.根据权利要求2所述的磁传感装置,其特征在于:
所述第三方向磁传感部件包括外围电路,用于计算磁场强度及磁场方向,并进行输出。
4.根据权利要求2所述的磁传感装置,其特征在于:
所述导磁单元的主体部分与基底表面的夹角为45°~90°;所述感应单元贴紧基底表面设置,与基底表面平行。
5.根据权利要求2所述的磁传感装置,其特征在于:
所述感应单元是与基底表面平行的磁传感器,和基底表面平行的第一方向、第二方向对应的磁传感器一起,组成三维磁传感器的一部分。
6.根据权利要求5所述的磁传感装置,其特征在于:
所述第一方向为X轴方向,第二方向为Y轴方向,第三方向为Z轴方向。
7.根据权利要求2所述的磁传感装置,其特征在于:
所述装置进一步包括第二磁传感部件,用以感应第一方向或/和第二方向的磁信号,并以此测量出第一方向或/和第二方向对应的磁场强度及磁场方向。
8.根据权利要求7所述的磁传感装置,其特征在于:
所述第二磁传感部件包括至少一个感应子单元;
上述各感应子单元包括磁材料层,磁材料层为磁阻材料,该磁材料的电阻随着磁场强度的方向变化。
9.根据权利要求1至8之一所述的磁传感装置,其特征在于:
所述导磁单元及感应单元均含有磁材料层;
所述磁材料层的磁材料为各项异性磁阻AMR材料,或为巨磁阻GMR材料,或为隧道磁阻TMR材料;
所述磁传感器装置的原理是各项异性磁阻AMR,或为巨磁阻GMR,或为隧道磁阻TMR。
10.根据权利要求2所述的磁传感装置,其特征在于:
所述导磁单元包括四个导磁子单元,分别为第一导磁子单元、第二导磁子单元、第三导磁子单元、第四导磁子单元;
所述感应单元包括四个感应子单元,分别为第一感应子单元、第二感应子单元、第三感应子单元、第四感应子单元;
所述第一导磁子单元与第一感应子单元配合,作为第三方向磁传感部件的第一感应模块;
所述第二导磁子单元与第二感应子单元配合,作为第三方向磁传感部件的第二感应模块;
所述第三导磁子单元与第三感应子单元配合,作为第三方向磁传感部件的第三感应模块;
所述第四导磁子单元与第四感应子单元配合;作为第三方向磁传感部件的第四感应模块;
上述各感应子单元包括磁材料层,该磁材料的电阻随着磁场强度的方向变化;
所述基底设有一列或若干列沟槽,一列沟槽由一个长沟槽构成,或者一列沟槽包括若干子沟槽;
各导磁子单元包括若干磁性构件,各磁性构件的主体部分设置于对应的沟槽内,并有部分露出于沟槽外;露出部分靠近对应感应子单元的磁材料层装置。
11.根据权利要求10所述的磁传感装置,其特征在于:
各磁性构件有部分露出于沟槽外,露出部分与对应感应子单元的磁材料层的距离为0-20微米。
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