[发明专利]相位幅度阻抗校准的封装夹层天线

权利要求书

1.一种相位幅度阻抗校准的封装夹层天线，其特征在于该天线包括设置在介质基板（4）上的微带馈线（1）、基片集成波导喇叭天线（2）和内嵌金属化过孔（3），介质基板（4）在三维封装（5）的内层；所述微带馈线（1）通过共面波导（7）与三维封装（5）的内部电路（8）相连；基片集成波导喇叭天线（2）由位于介质基板（4）一面的底面金属平面（9）、位于介质基板（4）另一面的顶面金属平面（10）和穿过介质基板（4）连接底面金属平面（9）顶面金属平面（10）的金属化过孔喇叭侧壁（11）组成；基片集成波导喇叭天线（2）中内嵌的金属化过孔（3）连接底面金属平面（9）和顶面金属平面（10），并构成中间金属化过孔阵列（17）、左边金属化过孔阵列（18）和右边金属化过孔阵列（19）；在喇叭天线（2）中有第一介质填充波导（22）、第二介质填充波导（23）、第三介质填充波导（24）和第四介质填充波导（25）。

2.根据权利要求1所述的一种相位幅度阻抗校准的封装夹层天线，其特征在于所述的微带馈线（1）的一端与喇叭天线（2）相连，微带馈线（1）的另一端靠近封装侧面，是天线的输入输出端口（6）；微带馈线（1）通过天线输入输出端口（6）与封装侧面的共面波导（7）的一端相连，共面波导（7）的另一端与封装内部电路（8）相连。

3.根据权利要求1所述的一种相位幅度阻抗校准的封装夹层天线，其特征在于所述的中间金属化过孔阵列（17）位于基片集成波导喇叭天线（2）的两个侧壁（11）中间的位置，并把基片集成波导喇叭天线（2）分为左右对称的两部分，在中间的金属化过孔阵列（17）的两侧，对称的有左边介质填充波导（20）和右边介质填充波导（21）。

4.根据权利要求1所述的一种相位幅度阻抗校准的封装夹层天线，其特征在于所述的左边金属化过孔阵列（18）把左边介质填充波导（20）分成第一介质填充波导（22）和第二介质填充波导（23），右边金属化过孔阵列（19）把右边的介质填充波导（21）分成第三介质填充波导（24）和第四介质填充波导（25）。

5.根据权利要求1或3或4所述的一种相位幅度阻抗校准的封装夹层天线，其特征在于所述的中间金属化过孔阵列（17）、左边金属化过孔阵列（18）和右边金属化过孔阵列（19）形状都是由头端直线段、多边形和尾端直线段三段相连构成；中间金属化过孔阵列（17）、左边金属化过孔阵列（18）和右边金属化过孔阵列（19）中的头端直线段或者尾端直线段的形状可以是直线、折线或指数线等，其长度可以是零或者是有限长度，中间金属化过孔阵列（17）、左边金属化过孔阵列（18）和右边金属化过孔阵列（19）中的多边形可以是三角形、四边形、五边形或其它多边形，多边形的一条边或者多条边的形状可以是直线、弧线或其它曲线；中间金属化过孔阵列（17）、左边金属化过孔阵列（18）和右边金属化过孔阵列（19）的头端都朝着微带馈线（1）方向，中间金属化过孔阵列（17）、左边金属化过孔阵列（18）和右边金属化过孔阵列（19）的尾端在天线口径面（12）上。

6.根据权利要求1或3或4所述的一种相位幅度阻抗校准的封装夹层天线，其特征在于所述的左边介质填充波导（20）、右边介质填充波导（21）、第一介质填充波导（22）、第二介质填充波导（23）、第三介质填充波导（24）和第四介质填充波导（25）的宽度均要保证其主模可以在左边介质填充波导（20）、右边介质填充波导（21）、第一介质填充波导（22）、第二介质填充波导（23）、第三介质填充波导（24）和第四介质填充波导（25）中传输而不被截止。

7.根据权利要求6所述的一种相位幅度阻抗校准的封装夹层天线，其特征在于所述的第一介质填充波导（22）、第二介质填充波导（23）、第三介质填充波导（24）和第四介质填充波导（25）的一端均朝着微带馈线（1）方向，其另一端均在天线口径面（12）上，并且第一介质填充波导（22）、第二介质填充波导（23）、第三介质填充波导（24）和第四介质填充波导（25）在天线口径面（12）上端口的宽度一样。

8.根据权利要求5所述的一种相位幅度阻抗校准的封装夹层天线，其特征在于选择左边金属化过孔阵列（18）中头端直线段或多边形在左边介质填充波导（20）中的位置，使得通过第一介质填充波导（22）和第二介质填充波导（23）中传输的两路电磁波等幅同相到达天线的口径面（12）上辐射。