[发明专利]内嵌金属化过孔幅度校准的封装夹层天线

说明书

技术领域

本发明涉及一种喇叭天线，尤其是一种内嵌金属化过孔幅度校准的封装夹层天线。

背景技术

采用叠层三维多芯片（3D-MCM）技术，可以把一个射频系统集成在一个三维叠层封装内，为此也需要把天线集成在封装上。通常是在封装的表面集成天线，例如把贴片天线集成在封装的最上面。但是有时会需要把天线集成在封装中间的一个夹层以满足系统的需要。如果在封装内部夹层中集成喇叭天线就可以实现上述要求。但是，通常喇叭天线是非平面的，与平面电路工艺的不兼容、具有的较大的几何尺寸，从而限制了其在封装结构上的应用。近年来，基于基片集成波导技术发展的基片集成波导喇叭天线具有尺寸小、重量轻、易于平面集成的特点，但传统的基片集成波导喇叭天线的增益相对比较低，其中一个原因在于口径面上电磁场的幅度很不均匀，中间大两边小，影响天线的辐射性能。目前已有采用介质加载、介质棱镜等方法，矫正喇叭口径面相位的不同步，但是这些方法都不能改善口径面上电磁场幅度分布的均匀性，而且这些相位校准结构增加了天线的整体结构尺寸，不适合集成到封装内部夹层。

发明内容

技术问题:本发明的目的是提出一种内嵌金属化过孔幅度校准的封装夹层天线，该天线内部嵌有金属化过孔阵列以改善天线口径面上电磁波幅度分布的一致性、同时减少口径面零场区的数量，提高夹层天线的口径效率和增益。

技术方案：本发明的一种内嵌金属化过孔幅度校准的封装夹层天线包括设置在介质基板上的微带馈线、基片集成波导喇叭天线和内嵌金属化过孔，介质基板在三维封装的内层；所述微带馈线通过共面波导与三维封装的内部电路相连；基片集成波导喇叭天线由位于介质基板一面的底面金属平面、位于介质基板另一面的顶面金属平面和穿过介质基板连接底面金属平面顶面金属平面的金属化过孔喇叭侧壁组成；基片集成波导喇叭天线中内嵌的金属化过孔连接底面金属平面和顶面金属平面，并构成中间金属化过孔阵列、左边金属化过孔阵列和右边金属化过孔阵列；在喇叭天线中有第一介质填充波导、第二介质填充波导、第三介质填充波导和第四介质填充波导，第一介质填充波导、第二介质填充波导、第三介质填充波导和第四介质填充波导的一个端口都朝着微带馈线方向，其另一端口都平齐并靠近的天线口径面。

所述的微带馈线的一端与喇叭天线相连，微带馈线的另一端靠近封装侧面，是天线的输入输出端口；微带馈线通过天线输入输出端口与封装侧面的共面波导的一端相连，共面波导的另一端与封装内部电路相连。

所述的基片集成波导喇叭天线由窄截面波导和喇叭形波导串接构成；窄截面波导的一端是微带馈线，窄截面波导的另一端与喇叭形波导相连，喇叭形波导的一端与窄截面波导相连，喇叭形波导的另一端是天线口径面。

所述的中间金属化过孔阵列位于基片集成波导喇叭天线的两个侧壁中间的位置，并把基片集成波导喇叭天线分为左右对称的两部分，在中间的金属化过孔阵列的两侧，对称的有左边介质填充波导和右边介质填充波导。

所述的左边金属化过孔阵列把左边介质填充波导分成第一介质填充波导和第二介质填充波导，右边金属化过孔阵列把右边的介质填充波导分成第三介质填充波导和第四介质填充波导。

所述的左边金属化过孔阵列和右边金属化过孔阵列形状都是由头端直线段、多边形和尾端直线段三段相连构成，左边金属化过孔阵列和右边金属化过孔阵列的头端都朝着微带馈线方向，左边金属化过孔阵列和右边金属化过孔阵列的尾端伸向天线口径面，但不到天线口径面上。

所述的中间金属化过孔阵列、左边金属化过孔阵列和右边金属化过孔阵列中的直线段的形状可以是直线、折线或指数线等，其长度可以是零或者是有限长度。

所述的左边金属化过孔阵列和右边金属化过孔阵列中的多边形可以是三角形、四边形、五边形或其它多边形，多边形的一条边或者多条边的形状可以是直线、弧线或其它曲线。

选择左边金属化过孔阵列中头端直线段或多边形在左边介质填充波导（19）中的位置，使得通过第一介质填充波导和第二介质填充波导中传输的两路电磁波等幅到达介质填充波导的端口再到天线的口径面上辐射。

选择右边金属化过孔阵列中头端直线段或多边形在右边介质填充波导（20）中的位置，使得通过第三介质填充波导和第四介质填充波导中传输的两路电磁波等幅到达介质填充波导的端口再到天线的口径面上辐射。