[发明专利]用以产生参考电流的参考单元电路以及方法

权利要求书

1.一种参考单元电路，适用于一非易失性存储器，其特征在于，所述的参考单元电路包括：

一参考单元阵列，包括至少一列浮栅晶体管，用以产生一参考电流；

一第一电流镜电路，用以根据上述参考单元阵列所产生的上述参考电流，产生一镜射电流；以及

一第二电流镜电路，用以接收上述镜射电流，并根据上述镜射电流以及复数使能信号中之一被选取者，产生一已调整参考电流，其中上述复数使能信号分别相应于上述非易失性存储器的复数操作，并且上述已调整参考电流系用以决定上述非易失性存储器的复数存储器单元的逻辑状态。

2.如权利要求1所述的参考单元电路，其特征在于，所述的第二电流镜电路更包括：

一第一N型晶体管，具有一漏极耦接至上述第一电流镜电路，一源极耦接至一接地，以及一栅极耦接至上述漏极；以及

复数控制电路，用以根据上述被选取的使能信号，镜射上述镜射电流，其中每一控制电路包括：

一第二N型晶体管，具有一漏极，一源极耦接至上述接地，以及一栅极耦接至上述第一N型晶体管的栅极；以及

一第三N型晶体管，具有一漏极耦接至一第一电压，一源极耦接至上述第二N型晶体管的漏极，以及一栅极用以接收上述被选取的使能信号。

3.如权利要求2所述的参考单元电路，其特征在于，每一上述第二N型晶体管具有一长宽比，并且每一上述第二N型晶体管的长宽比彼此不同并相差2的n次幂。

4.如权利要求2所述的参考单元电路，其特征在于，所述的参考单元电路更包括复数感测晶体管耦接于上述参考单元阵列以及上述第一电流镜电路之间，其中每一上述感测晶体管分别耦接至每一列中的每一上述浮栅晶体管。

5.如权利要求4所述的参考单元电路，其特征在于，所述的第一电流镜电路更包括：

一第一P型晶体管，具有一源极耦接至一第二电压，一漏极耦接至每一上述感测晶体管，以及一栅极耦接至上述第一P型晶体管的漏极；以及

一第二P型晶体管，具有一源极耦接至上述第二电压，一漏极耦接至上述第二电流镜电路中的上述第一N型晶体管的漏极，以及一栅极耦接至上述第一P型晶体管的栅极。

6.如权利要求2所述的参考单元电路，其特征在于，所述的参考单元电路更包括一选择装置用以根据上述非易失性存储器的上述操作，选择上述使能信号中之一被选取者，以及提供上述使能信号中之一被选取者至上述第二电流镜电路。

7.如权利要求2或者6所述的参考单元电路，其特征在于，每一上述使能信号系为一二进制码，并且上述二进制码中的每一位元系分别用以提供至相应的第三N型晶体管的栅极，以分别控制每一上述控制电路是否进行导通。

8.如权利要求1所述的参考单元电路，其特征在于，所述的操作包括确认上述非易失性存储器的上述存储器单元的一低阈值电压，正常读取上述非易失性存储器的上述存储器单元，确认上述非易失性存储器的上述存储器单元的一高阈值电压，以及确认上述非易失性存储器的上述存储器单元的一后程式化阈值电压。

9.如权利要求1所述的参考单元电路，其特征在于，所述的参考单元阵列的上述浮栅晶体管具有一阈值电压，并且上述阈值电压系为一紫外线阈值电压。

10.如权利要求1所述的参考单元电路，其特征在于，所述的参考单元阵列的上述浮栅晶体管具有一阈值电压，并且上述参考单元阵列的上述浮栅晶体管的上述阈值电压已被抹除或者程式化至一既定紫外线阈值电压，或者经由紫外线被抹除至一紫外线阈值电压。

11.如权利要求1所述的参考单元电路，其特征在于，所述的参考单元电路更包括一电流电压转换器用以转换上述已调整参考电流为一已调整参考电压。

12.如权利要求11所述的参考单元电路，其特征在于，所述的电流电压转换器包括：

一P型晶体管，具有一源极耦接至一电压，一漏极耦接至一输出节点，以及一栅极耦接至上述P型晶体管的漏极；

一N型晶体管，具有一漏极耦接至上述P型晶体管的漏极，一源极耦接至上述第二电流镜电路，以及一栅极；以及

一反相器，具有一输入端耦接至上述N型晶体管的源极，以及一输出端耦接至上述N型晶体管的栅极。