[发明专利]一种无源驱动MEMS光开关及加工工艺

权利要求书

1.一种无源驱动MEMS光开关，包括镜体（1）和镜体边框（2），其特征在于：还包括磁性件（3），镜体（1）通过弹性连接件（4）与镜体边框（2）相连接；磁性件（3）设置在镜体（1）的背面。

2.根据权利要求1所述一种无源驱动MEMS光开关，其特征在于：还包括透光盖（8），透光盖（8）以其内表面面向所述镜体（1）的方向、设置在镜体边框（2）的上方。

3.根据权利要求1所述一种无源驱动MEMS光开关，其特征在于：还包括底盖（6），底盖（6）以其内表面面向所述磁性件（3）的方向、设置在镜体边框（2）的下方。

4.根据权利要求3所述一种无源驱动MEMS光开关，其特征在于：所述底盖（6）的内表面设置有凹槽（7）。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述一种无源驱动MEMS光开关，其特征在于：所述镜体（1）其中的一边通过弹性连接件（4）与镜体边框（2）其中的一边相连接。

6.根据权利要求5所述一种无源驱动MEMS光开关，其特征在于：所述镜体（1）上与弹性连接件（4）所在边、相对的另一边上设置有无磁性限位边（5）。

7.根据权利要求1至4中任意一项所述一种无源驱动MEMS光开关，其特征在于：所述镜体（1）上相对的两边分别通过弹性连接件（4）与镜体边框（2）上相对的两边相连接。

8.根据权利要求7所述一种无源驱动MEMS光开关，其特征在于：所述镜体（1）上与设置在相对两边上弹性连接件（4）之间的连线、相垂直的另外两边上分别设置有无磁性限位边（5）。

9.一种用于权利要求1所述一种无源驱动MEMS光开关的加工工艺，包括所述镜体（1）和镜体边框（2）的加工工艺，镜体（1）和镜体边框（2）的材料为SOI硅片，SOI硅片包含两层硅，且两层硅之间为掩埋二氧化硅层，其特征在于：该加工工艺包括如下步骤：

步骤a1. 对SOI硅片进行双面标准清洗；

步骤a2. 对SOI硅片正面图形化并电镀磁性材料；

步骤a3. 对SOI硅片正面图形化，并刻蚀Si一直到所述掩埋二氧化硅层；

步骤a4. 对SOI硅片背面图形化，并刻蚀Si一直到所述掩埋二氧化硅层；

步骤a5. 湿法或干法刻蚀所述掩埋二氧化硅层；

步骤a6. 对SOI硅片背面淀积一层金，构成镜体（1）。

10.一种用于权利要求3所述一种无源驱动MEMS光开关的加工工艺，还包括底盖（6）的加工工艺，底盖（6）的材料为SOI硅片，SOI硅片包含两层硅，且两层硅之间为掩埋二氧化硅层，其特征在于：该加工工艺包括如下步骤：

步骤b1. 对SOI硅片进行双面标准清洗；

步骤b2. 对SOI硅片正面进行氧化或氧化层淀积，并图形化；

步骤b3. 对SOI硅片的正面进行甩胶光刻；

步骤b4. 利用步骤b3的光刻胶作为阻挡掩膜，对SOI硅片的正面干法刻蚀Si直至所述掩埋二氧化硅层； 

步骤b5. 利用步骤b2的氧化层作为阻挡掩膜，再一次对SOI硅片正面第2次干法刻蚀Si。