[发明专利]具有纳米结构的超润滑非晶碳薄膜的制备方法无效
申请号: | 201210561459.X | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103882376A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 郝俊英;刘小强 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/34;C23C14/02 |
代理公司: | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人: | 方晓佳 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 纳米 结构 润滑 非晶碳 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种具有纳米结构的超润滑非晶碳薄膜的制备方法,其特征在于采用射频磁控溅射物理气相沉积技术制备,具体操作步骤为:
1)用无水乙醇和丙酮分别超声清洗的单晶硅片,吹干后置于固体润滑薄膜沉积系统的沉积室中,然后进行抽真空;
2)当真空度高于5.0×10-4 Pa时,通氩气于沉积室中,在占空比为70.0%、脉冲直流负偏压700-1000 V的条件下用氩(Ar)等离子体进行溅射清洗基材25-35min;
3)过渡层由纯Ar等离子体溅射孪生钛靶或Si/Al混合靶材,面积比A铝/A硅=1/8制得,制备条件为中频频率40 KHz电流2.0 A,氩气流量为40.0 sccm,工作压强为4.0-5.0 Pa,基底偏压为-200 V,靶材与基材距离为9-10 cm,沉积时间为8-12 min ;
4)将甲烷气和氩气以1:7比例混合后通入反应室中,在工作压强为0.5-1.2 Pa的条件下开启射频电源,频率 27.12 MHz, 功率为400-700 W,在自偏压的作用下,产生的含有C和Ar的等离子体共同溅射Si/Al混合靶材,面积比为A铝/A硅=1/8;
5)薄膜沉积过程中,基材无额外加热,且负偏压为0-50V。
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