[发明专利]多晶硅型太阳能电池板及其制造方法无效
| 申请号: | 201210560046.X | 申请日: | 2012-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN103178155A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
| 发明(设计)人: | 山西齐;中山一郎;奥村智洋 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 刘晓迪 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多晶 太阳能 电池板 及其 制造 方法 | ||
1.多晶硅型太阳能电池板的制造方法,其具有:
使用由掺杂为n型的硅构成的蒸镀材料,通过蒸镀法在基板表面形成非晶硅膜的工序;
对所述非晶硅膜的表层,用p型掺杂剂进行等离子体掺杂的工序;以及
在所述等离子体掺杂后的非晶硅膜上扫描等离子体,使非晶硅膜熔融且多晶化的工序。
2.多晶硅型太阳能电池板的制造方法,其具有:
使用由掺杂为p型的硅构成的蒸镀材料,通过蒸镀法在基板表面形成非晶硅膜的工序;
对所述非晶硅膜的表层,用n型掺杂剂进行等离子体掺杂的工序;以及
在所述等离子体掺杂后的非晶硅膜上扫描等离子体,使非晶硅膜熔融且多晶化的工序。
3.如权利要求1或2所述的多晶硅型太阳能电池板的制造方法,其中,所述基板包括玻璃及石英中的任一种。
4.如权利要求1或2所述的多晶硅型太阳能电池板的制造方法,其中,所述基板为导电体。
5.如权利要求1或2所述的多晶硅型太阳能电池板的制造方法,其中,所述扫描的等离子体为大气压等离子体。
6.如权利要求1或2所述的多晶硅型太阳能电池板的制造方法,其中,所述扫描的速度为100mm/秒以上且2000mm/秒以下。
7.多晶硅型太阳能电池板,其通过权利要求1或2所述的方法而获得。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





